CHINA Sensor fotoeléctrico infrarrojo

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  S1336-44BQ Pin de fotodiodo de silicio Baja capacidad UV a NIR para fotometría de precisión

  Área sensible:3.6 × 3.6 mm

  Número de píxeles:1

  Refrigerantes y:No refrigerados

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  Embalaje de alta precisión Sensor fotoeléctrico infrarrojo no enfriado tipo S16765-01MS con baja corriente oscura y tiempo de subida de 0,5 μs

  Área fotosensible:2.8 × 2,4 mm

  Número de píxeles:1

  Método de enfriamiento:Tipo no refrigerado

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  Sensor fotoeléctrico infrarrojo de alta sensibilidad T15770 para aplicaciones fotosensibles

  Respuesta espectral:4.45 μm

  Paquete:Envase de metal TO - 18

  Área fotosensible:1.2 x 1,2 mm

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  El fotodiodo de silicio se utiliza para la determinación fotométrica precisa en la banda de luz ultravioleta a visible

  Superficie receptora de luz:2,4 × 2.4m m

  Corriente oscura (máxima):PA 5

  Con el:Lentes

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  YJJ S1227-66BR Silicone Photodiode Resin Potting Model es adecuado para la fotometría de precisión desde ultravioleta hasta luz visible

  Receiving surface:5.8 × 5.8 mm

  Package:Ceramic

  Refrigeration:Uncooled type

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  YJJ S1227-1010BQ El fotodiodo de silicio es adecuado para la supresión fotométrica de precisión de la sensibilidad infrarroja en la banda ultravioleta a visible

  Receiving surface:10 × 10 mm

  Package:Ceramic

  Refrigeration:Uncooled type

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  YJJ S1337-33BR El fotodiodo de silicio es adecuado para fotometría de precisión en bandas ultravioleta a infrarroja

  Receiving surface:2.4 × 2.4 mm

  Package:Ceramic

  Refrigeration:Uncooled type

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  YJJ S1337-66BQ El fotodiodo de silicio es adecuado para la fotometría de precisión en bandas ultravioleta a infrarroja

  High UV sensitivity:QE 75% (λ=200 nm)

  Receiving surface:5.8 × 5.8 mm

  Reverse voltage (Max.):5V

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  YJJ S1337-1010BQ S1337-1010BR Fotodiodo de silicio para fotometría de precisión en el rango UV a IR

  Refrigeración:Tipo sin enfriar

  Rango de longitudes de onda de sensibilidad:Entre 190 y 1100 Nm

  Número de píxeles:1

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  Y1964 Pentax Pantaix Mainframe Lámpara de xenón La solución definitiva para la iluminación de automóviles

  Modelo:En el año 1964

  Objetivo:Principales aplicaciones en iluminación de automóviles

  Cantidad de orden mínima:1

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  YJJ S16838-02MS 320 a 1100 nm Fotodiodo de silicio con filtro, fotodiodo de silicio de alta sensibilidad

  Refrigeración:Tipo no refrigerado

  Rango de respuesta espectral:De 320 a 1100 Nm

  longitud de onda de sensibilidad máxima:(Valor típico) 960 nm

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  Detector piroeléctrico de múltiples canales planar LIM-252-GH TO39 Compensación térmica de chip pequeño

  Constante de tiempo térmico:ms 100

  Tamaño de la abertura:Ø6,0 mm

  Densidad del ruido:220 NV/√Hz

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