CHINA Sensor fotoeléctrico infrarrojo

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  S1336-44BQ Pin de fotodiodo de silicio Baja capacidad UV a NIR para fotometría de precisión

  Área sensible:3.6 × 3.6 mm

  Número de píxeles:1

  Refrigerantes y:No refrigerados

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  S16838-01MS silicon photodiode for Visible Light Intensity Measurement Color Identification & Sorting

  Área fotosensible:2.8 × 2.4 mm.

  Rango de respuesta espectral:320 nm a 730 nm

  Fotosensibilidad:0.3a/W

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  S16838-02MS Silicon photodiode For Optical Detection Equipment Automated Industrial Production Line

  Área fotosensible:2.8 × 2.4 mm

  Rango de respuesta espectral:De 320 a 1100 nm

  Tipo de sensibilidad máxima.:0.58a/W

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  S10227-10 Photoelectric Sensor Small-sized Resin-sealed CMOS Image Sensor For Barcode Scanning Displacement Measurement

  Dimensiones de píxeles:12.5 × 250 μm.

  Rango de respuesta espectral:400 - 1000 nm.

  Tasa de datos de video:Hasta 5mhz

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  Infrared Light Source JSIR350-4-AL-R-D6 For NDIR Gas Analysis Industrial Commercial

  Rango de salida espectral:Típ. 1 - 20 μm

  Resistente al calor:40 ± 20 Ω

  Constante de tiempo:ms 15

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  El fotodiodo de silicio de alta fiabilidad YJJ S1226-8BK es adecuado para la fotometría de precisión desde ultravioleta hasta luz visible

  Recepción de la superficie:5.8 × 5,8 mm

  Categoría de paquete:TO-8

  Válvulas de reversión (máx.):5V

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  Sensor de fotodiodo UV S1133-01 para el medidor de exposición y el iluminómetro

  Tamaño del área activa:2.4 x2.8

  Área activa efectiva:6.6

  La tensión inversa VR Max. (V):10

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  S6931-01 Fotodiodos de silicio moldeados en envases de plástico transparente

  Lado receptor de luz:2.4 × 2,8 mm

  Encapsulación:Plástica

  Enfriamiento:No refrigerados

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  S6775 S6775-01 Fotodiodo PIN de silicio Respuesta de alta velocidad

  Lado receptor de luz:5.5 × 4,8 mm

  Encapsulación:Plástica

  Refrigeración:No refrigerados

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  Fotodiodo S7686 de alta sensibilidad con longitud de onda de sensibilidad máxima a 550 nm y rango de respuesta espectral de 480-660 nm

  Voltaje inverso:10 V

  Temperatura de funcionamiento:-10 a +60 °C

  Temperatura de almacenamiento:-20 a +70 °C

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  Fotodiodos de pin de silicio S1226-8BK S1226-8BQ Alta confiabilidad

  Lado receptor de luz:5.8 × 5,8 mm

  Encapsulación:metal

  Categoría de paquete:TO-8

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  EMIRS200-AT01T-BR090 Fuente de luz infrarroja portátil de baja potencia para analizadores de gases portátiles

  Rango espectral:2 ~ 14 μm

  Longitud de onda de emisión máxima:9.6 μm (absorción de CO₂)

  Poder radiante:33 MW (a 500 ° C)

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