CHINA Sensor fotoeléctrico infrarrojo

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  S1336-44BQ Pin de fotodiodo de silicio Baja capacidad UV a NIR para fotometría de precisión

  Área sensible:3.6 × 3.6 mm

  Número de píxeles:1

  Refrigerantes y:No refrigerados

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  Fotometría de precisión UV a visible Sensibilidad infrarroja infrarroja suprimida del silicio PhotoS1227-16BQ S1227-33BQ S1227-66BQ S1227-1010BQ

  Tamaño del área activa:1,1*5,9

  Paquete:2,7*15

  Área activa efectiva:5.9

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  S2386-18L Fotodiodo de silicio para fotometría de propósito general de visible a infrarrojo cercano

  Pakcage:TO-18

  Válvula inversa VR máximo:30V

  Temperatura de funcionamiento:-40 a +100 ℃

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  JSIR350-4-AL-R-D6 NDIR Análisis de gases Fuentes de radiación infrarroja En T039

  Corriente de operación 2:Tipo 141mA

  Masa:~ 1G

  Resistente al calor:40 ± 20Ω

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  Sensores de fotodiodo PIN de InGaAs G12183-010K, tipo de longitud de onda larga, bajo ruido

  - ¿ Qué?:No refrigerados

  longitud de onda de corte:2.55 a 2.6 Um

  Temperatura de funcionamiento:-40 a +85 °C

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  L4643 10 W Lámparas de xenón de bajo costo Electrodos de larga duración Vidrio borosilicato

  Duración garantizada *4:1 x 10°

  Tasa máxima de repetición *1:100Hz

  Material de los tubos laterales:Vidrio de borosilicato

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  RPFA913CC Sensor de llama piroeléctrica Efecto piroeléctrico de un solo canal

  Tamaño de la ventana:5.0*5.0 mm

  Tamaño del elemento sensible:3*3 mm

  Longitud de onda del centro de filtrado:3.8um

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  RDA226S-F Sensor de infrarrojos piroeléctricos digitales Proceso de señal AD de alta precisión

  Voltaje:2,7-3V

  Límite de pines:-100 a 100 mA

  Temperatura de almacenamiento:-40 a 125 °C

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  S14137-01CR Fotosensor con IC frontal de extremo compacto de 16 elementos de la matriz APD

  Número de salida:16

  Piso de los elementos:0,5 mm

  Área fotosensible (por elemento):0.15 x 0.43 mm

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  S16429-01CT Fotosensor con IC de extremo frontal integrado en el APD estabilizado de ganancia

  Área fotosensible:Diámetro 0,2 mm

  Voltaje inverso:0 a VBR

  Material de sellado:Resina de silicona

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  S14645 Si APD de alta velocidad montaje de superficie compacto de alta sensibilidad con funcionamiento de baja parcialidad

  Temperatura de almacenamiento:-40 a +100 °C

  Tamaño fotosensible:0,2 mm

  Corriente directa:10 mA

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  S15639-1325PS MPPC de alta sensibilidad en infrarrojo cercano SiPM conmutador de fotones multipixel

  Área fotosensible eficaz:1.3 x 1,1 mm

  Resistencia térmica:409

  Paso de píxeles:25um

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