CHINA Sensor fotoeléctrico infrarrojo

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  S1336-44BQ Si fotodiodo UV a infrarrojo cercano para fotometría de precisión TO-5

  Área sensible:3.6 × 3.6 mm

  Número de píxeles:1

  Refrigerantes y:No refrigerados

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  Tablero del desarrollo de Suporting del módulo del detector de llama de R2868 C10807

  Respuesta espectral:185 a 260nm

  Material de la ventana:Vidrio ULTRAVIOLETA

  Peso aprox.:1.5g

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  YJJ G12180-003A Paquete de fotodiodo InGaAs PIN para el analizador de gas NDIR y la espectroscopia del infrarrojo cercano

  Cuenta del pixel:1

  Paquete:Metal

  Categoría de paquete:TO18

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  S12023-02-01 Fotodiodo de avalancha de silicio de alto rendimiento para sistemas de telémetro óptico y Lidar, monitorización y detección láser

  Rango de voltaje de ruptura:80 V ~ 120 V (ID=100 μA)

  Área fotosensible eficaz:0,2 milímetros

  Rango de respuesta espectral:400 nanómetro ~ 1000 nanómetro

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  S12023-02-01 Fotodiodo de avalancha de silicio, operación infrarroja de bajo voltaje

  Tipo:Infrarrojo cercano (operación de baja polarización)

  Tamaño del área activa:φ0,2 mm

  Material del paquete:Metal

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  YJJ LTH-1550-01 Sensor fotoeléctrico Interruptor fotoeléctrico reflector Interruptor fotoeléctrico

  Corriente directa del LED si es máxima:60mA

  LED de voltaje inverso Vr:5v

  LED de caída directa Vf típico:1.2V

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  YJJ S5990-01 Detector bidimensional PSD de posición sensible de fotodiodo para medición de posición óptica

  Detección de posición:±70μm (típico)

  Máximo:±150μm

  Fotocorriente de saturación:500μA (VR = 5V, carga 1kΩ)

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  Detector piroeléctrico planar de múltiples canales LIM-252-GH con doble canal para el paquete 93

  Constante de tiempo térmica:ms 100

  Tamaño de apertura:Ø6,0 mm

  Densidad de ruido:220 NV/√Hz

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  S12023-02 Sensor APD de fotodiodo de avalancha para instrumentos analíticos de la industria de las comunicaciones ópticas

  longitud de onda de sensibilidad máxima:Las demás medidas

  Rango de respuesta espectral:400 ~ 1100 nanómetro

  Voltaje inverso de funcionamiento:≤ 200V

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  YJJ S1227-16BQ Fotodiodo de silicio de propósito especial para luz visible (con versión de ventana de cuarzo)

  Recepción de la superficie:5,9 × 1,1 mm

  Paquete:Cerámico

  Válvulas de reversión (máx.):5v

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  S12023-02 Operación de baja inclinación en el infrarrojo Si APD Respuesta a alta velocidad

  Área fotosensible:φ0,2 mm

  Paquete:Metal

  Categoría de paquete:TO-18

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  G12180-003A Sensor fotoeléctrico infrarrojo de un solo elemento sin enfriar de 1,55 μm Largura de onda máxima de 0,5 NA

  Área fotosensible:φ0,3 mm

  longitud de onda de sensibilidad máxima (típica):1.55 μm

  Enfriamiento:Sin enfriar

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