CHINA Sensor fotoeléctrico infrarrojo

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  S1337-1010BR Fotodiodo de Si para fotometría de precisión UV a IR Baja capacitancia

  Material de ventana:Conchas de resina

  Paquete:15*16.5 mm

  Fotosensibles son tamaño:10*10m m

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  BPW21R Fotodiodo planar de silicio PN de baja corriente oscura TO-5 paquete

  Voltaje inverso:10 V

  Disipación de potencia:300 mW

  TEMPERATURA DE EMPALME:125 °C

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  Fotodiodos de pin de silicio S1336-8BK S1336-8BQ Alta sensibilidad en la banda ultravioleta

  Lado receptor de luz:5.8 × 5,8 mm

  Encapsulación:El metal

  Categoría del paquete:TO-8

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  Los fotodiodos de pin de silicio S1336-18BK S1336-18BQ con baja capacidad

  Lado receptor de luz:1.1 × 1,1 mm

  Encapsulación:El metal

  Categoría del paquete:TO-18

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  Fotodiodos de pin de silicio S1336-5BK S1336-5BQ Alta sensibilidad en la banda ultravioleta

  Lado receptor de luz:× 2,4 2,4 milímetros

  Encapsulación:El metal

  Categoría del paquete:TO-5

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  Fotodiodo de pin de silicio S1336-44BQ S1336-44BK Alta sensibilidad en la banda ultravioleta

  Lado receptor de luz:3.6 × 3.6 mm

  Encapsulación:El metal

  Categoría del paquete:TO-5

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  AS907CCA Sensor de termopila infrarroja TO-46 Diferencial de salida de voltaje de embalaje

  tamaño del microprocesador:1.5 × 1,5 mm2

  Área sensible:1.0 × 1,0 mm2

  Ángulo de la detección:FOV 87°

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  LHI778 Sensor Termoeléctrico Infrarrojo para Detectores de Movimiento del Cuerpo Humano

  Respuesta mínima (Rmin):3,3

  Respuesta típica (Rtyp):4.2

  El número de unidades de ensayo se calculará en función de las características de las unidades de en:10

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  Sensor fotoeléctrico infrarrojo de alta sensibilidad T15770 para aplicaciones fotosensibles

  Respuesta espectral:4.45 μm

  Paquete:Envase de metal TO - 18

  Área fotosensible:1.2 x 1,2 mm

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  Embalaje de alta precisión Sensor fotoeléctrico infrarrojo no enfriado tipo S16765-01MS con baja corriente oscura y tiempo de subida de 0,5 μs

  Área fotosensible:2.8 × 2,4 mm

  Número de píxeles:1

  Método de enfriamiento:Tipo no refrigerado

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  El fotodiodo de silicio se utiliza para la determinación fotométrica precisa en la banda de luz ultravioleta a visible

  Superficie receptora de luz:2,4 × 2.4m m

  Corriente oscura (máxima):PA 5

  Con el:Lentes

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  YJJ S1227-66BR Silicone Photodiode Resin Potting Model es adecuado para la fotometría de precisión desde ultravioleta hasta luz visible

  Receiving surface:5.8 × 5.8 mm

  Package:Ceramic

  Refrigeration:Uncooled type

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