CHINA Sensor fotoeléctrico infrarrojo

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  YJJ S1223 S1223-01 El fotodiodo PIN de silicio se utiliza para la determinación fotométrica precisa en la luz visible a la banda infrarroja cercana

  Superficie iluminada:3.6 × 3.6 mm

  Embalaje:El metal

  Categoría de embalaje:TO-5

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  YJJ G6854-01 InGaAs PIN Fotodiodo con lente esférica envasado

  Disposición de calor:tipo de no-enfriamiento

  Rango de longitudes de onda de sensibilidad:0de 0,9 a 1,7 μm

  longitud de onda de sensibilidad máxima (valor típico):1.55 μm

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  S16767-01MS Diodo fotodiódico de silicio de baja corriente oscura para el rango visible Envase preformado

  Área fotosensible:2.8 × 2,4 mm

  Embalaje:Las demás

  Refrigerador:Sin enfriar

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  Fotodiodos de silicio visibles a la banda infrarroja S16840-02MS con sensibilidad fotosensible de 0,3 A/W y tiempo de subida de 2,5 μs

  Corriente oscura:PA 10

  Tiempo de subida:2,5 μs

  Sensibilidad a la luz:0.3 A/W

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  YJJ S16838-01MS El fotodiodo de silicio se utiliza en la luz visible a la banda del infrarrojo cercano

  Capacitancia de empalme:700 pF

  Tiempo de subida:2,5 μs

  Corriente oscura:PA 10

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  YJJ S16765-01MS El fotodiodo de silicio se utiliza en la luz visible a la banda del infrarrojo cercano

  Sensibilidad a la luz:0.3 A/W

  Corriente oscura:PA 10

  Tiempo de subida:2,5 μs

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  YJJ S16767-01MS El fotodiodo de silicio se utiliza en la luz visible a la banda del infrarrojo cercano

  Sensibilidad a la luz:0.3 A/W

  Corriente oscura:PA 10

  Tiempo de subida:2,5 μs

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  YJJ S4111-35Q La matriz de fotodiodos de silicio se utiliza en la banda ultravioleta al infrarrojo cercano

  Tamaño del pixel:0.9 × 4,4 mm

  Cuenta del pixel:35

  Embalaje:Las demás

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  S1133 S1133-14 S1133-01 Si fotodiodo Envase cerámico fotodiodo con baja corriente oscura

  Tamaño del área activa:2.4x2.8

  Área activa efectiva:6,6

  Voltagem inversa VR máximo.:10

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  G12180-005A Fotodiodos InGaAs PIN con bajo ruido en paquete TO-18

  Lado receptor de luz:φ0,5 mm

  Número de píxeles:1

  Encapsulación:El metal

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  G12180-010A Fotodiodos InGaAs PIN de baja capacidad de unión con rango de longitud de onda de sensibilidad de 0,9 a 1,7 μm y encapsulación metálica

  Lado receptor de luz:φ1,0 mm

  Número de píxeles:1

  Encapsulación:Metal

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  UVTRON R9533 Fácil instalación en la mayoría de los dispositivos con alta sensibilidad y amplio campo de visión utilizando material de electrodo de Ni

  Material del electrodo:En el caso de los

  Peso:2,5 g

  [Clasificación máxima]:30 mA

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