Embalaje de alta precisión Sensor fotoeléctrico infrarrojo no enfriado tipo S16765-01MS con baja corriente oscura y tiempo de subida de 0,5 μs

S16765-01MS Sensor fotoeléctrico infrarrojo

Información general:

• Nombre del producto: fotodiodo de silicio S16765 - 01MS
• Marca: Hamamatsu Fotónica
• Envase de plástico
• Categoría: fotodiodo de silicio (Si)
• Rango de aplicación: Visible hasta el infrarrojo cercano

Parámetros de rendimiento:

• Área fotosensible: 2,8 × 2,4 mm
• Número de píxeles: 1
• Método de enfriamiento: tipo no enfriado
• Rango de respuesta espectral: 320 - 1000 nm
• longitud de onda de sensibilidad máxima (valor típico): 720 nm
• Fotosensibilidad (valor típico): 0,4 A/W
• Corriente oscura (valor máximo): 20 pA
• Tiempo de aumento (valor típico): 0,5 μs
• Capacidad de unión (valor típico): 200 pF
• Condiciones de medición: Ta = 25°C, valor típico. Fotosensibilidad: λ = λp. Corriente oscura: VR = 1 V. Capacidad de unión: VR = 0 V, f = 10 kHz, a menos que se especifique lo contrario.

Características:

• Baja Corriente Oscura: Puede medir desde baja a alta iluminación con alta precisión.
• Embalaje de precisión: El embalaje pre-moldeado puede evitar que la luz que sale del lado y la parte posterior del embalaje entre en el área fotosensible.que es beneficioso para mejorar la precisión de la medición.