CHINA Sensor fotoeléctrico infrarrojo

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  G12181-003A Sensor fotoeléctrico infrarrojo (fotodiodo PIN InGaAs) para sistemas de comunicación óptica

  Coeficiente de temperatura de sensibilidad:1.08 veces/℃

  Rango de temperatura de almacenamiento:-55 ℃ -125 ℃

  Rango de temperatura de funcionamiento:-40 ℃ -100 ℃

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  Los fotodiodos de silicio con preamplificador se utilizan para mediciones de poca luz

  RF incorporado:1 GΩ y CF = 5 pf

  Superficie emisora de luz:× 2,4 2,4 milímetros

  Paquete:Metal

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  YJJ G12181-003A El fotodiodo PIN InGaAs no enfriado puede usarse para detectar tamaños de varias áreas sensibles a la luz

  Cuenta del pixel:1

  Paquete:Metal

  Categoría de paquete:TO18

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  YJJ S2386-5K Equipos de análisis Equipos de medición óptica Diodos fotodetectores japoneses

  Superficie emisora de luz:× 2,4 2,4 milímetros

  Paquete:Metal

  Tipo de paquete:A-5

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  YJJ S6967 S6967-01 Envase SIP de plástico con fotodiodo de silicio PIN para la detección en luz visible hasta el rango del infrarrojo cercano

  Rango de respuesta espectral:320 a 1060 nm

  Longitud de onda de sensibilidad máxima:900 nm

  Sensibilidad a la foto:0.65 A/W

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  EMIRS200_AT01T_BR090 Fuente Infrarroja Térmica MEMS en Paquete TO39

  Tipo:Infrarrojo

  Temperatura de funcionamiento:-40 ° C ~ 125 ° C

  Tipo de montaje:A través del agujero

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  YJJ S10227-10 Sensor de imagen de matriz lineal CMOS sellado en resina pequeña para aplicaciones industriales

  Píxel:12.5 μm

  Altura de píxeles:250 μm

  Velocidad de datos de señalización:máximo 5 MHz

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  YJJ S3072 El fotodiodo PIN de silicio se utiliza para la detección de luz de pulso de alta velocidad en la transmisión óptica espacial

  Light-emitting surface:3.0 mm

  Package:Metal

  Package category:TO-5

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  S6428-01 Sensores de color RGB de fotodiodos de Si, material plástico

  Área fotosensible:2.8 × 2,4 mm

  Rango de respuesta espectral:Entre 400 y 540 Nm

  Corriente oscura (máximo):0.02 NA

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  Fotodiodos de Si S2386-18K para fotometría de propósito general en el visible y el infrarrojo cercano, alta sensibilidad

  Paquete:TO-18

  Voltaje inverso:30 V

  Temperatura de funcionamiento:-40 a +100 °C

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  S1337-1010BR Fotodiodo de Si para fotometría de precisión UV a IR Baja capacitancia

  Material de ventana:Conchas de resina

  Paquete:15*16.5 mm

  Fotosensibles son tamaño:10*10m m

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  BPW21R Fotodiodo planar de silicio PN de baja corriente oscura TO-5 paquete

  Voltaje inverso:10 V

  Disipación de potencia:300 mW

  TEMPERATURA DE EMPALME:125 °C

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