CHINA Sensor fotoeléctrico infrarrojo

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  S12915-33R Sensor de fotodiodo de silicio para fotómetro general de baja corriente oscura

  la recepción del tamaño superficial es:2,4 × 2.4m m

  Área fotosensible eficaz:5,7 mm2

  el voltaje reverso máximo es:30 V

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  Fotodiodos de pin de silicio S1336-8BK S1336-8BQ Alta sensibilidad en la banda ultravioleta

  Lado receptor de luz:5.8 × 5,8 mm

  Encapsulación:El metal

  Categoría del paquete:TO-8

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  YJJ G12180-005A InGaAs PIN Superficie receptora de fotodiodo: φ0,5 mm

  Recepción de la superficie:φ0,5 mm

  Número de píxeles:1

  Paquete:El metal

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  Los fotodiodos de pin de silicio S1336-18BK S1336-18BQ con baja capacidad

  Lado receptor de luz:1.1 × 1,1 mm

  Encapsulación:El metal

  Categoría del paquete:TO-18

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  Fotodiodos de pin de silicio S1336-5BK S1336-5BQ Alta sensibilidad en la banda ultravioleta

  Lado receptor de luz:× 2,4 2,4 milímetros

  Encapsulación:El metal

  Categoría del paquete:TO-5

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  Fotodiodo de pin de silicio S1336-44BQ S1336-44BK Alta sensibilidad en la banda ultravioleta

  Lado receptor de luz:3.6 × 3.6 mm

  Encapsulación:El metal

  Categoría del paquete:TO-5

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  YJJ S4349 Array de fotodiodos de silicio PIN de cuatro píxeles se utiliza para la alineación del haz láser

  Bajo ruido cruzado: máximo:El 2%

  Amplio rango de respuesta espectral:De 190 a 1000 Nm

  Respuesta de alta velocidad:fc = 20 MHz -paquete metálico TO-5

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  YJJ S6775-01 PIN de silicio fotodiodo plástico SIP paquete en línea única 5.5 × 4.8 mm Superficie receptora

  Plastic package:7 × 7.8mm

  Receiving surface size:5.5 × 4.8mm

  Refrigeration:Uncooled type

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  YJJ S12053-02 APD de silicio fotodiodo de corta longitud de onda tipo Avalanche

  Rango de longitudes de onda de sensibilidad:de 200 a 1000 nm

  Fotosensibilidad (valor típico):0.42 A/W

  Corriente oscura (máximo):nA 5

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  YJJ S12060-02 coeficiente de baja temperatura del APD de silicio para la banda de 800 nm en encapsulación de metal y en el paquete TO18

  Recepción de la superficie:φ0,2 mm

  Encapsulación:El metal

  Categoría del paquete:TO18

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  YJJ S1337-21 Fotodiodo de silicio La solución ideal para la fotometría de precisión en bandas UV a IR

  Receiving surface:18 × 18 mm

  Reverse voltage (Max.):5 V

  Sensitivity (typical value):0.52 A/W

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  Determinación fotométrica de precisión del fotodiodo de silicio de baja capacidad en bandas UV a NIR

  Package category:TO-5

  Refrigeration:Uncooled type

  Reverse voltage (Max.):5V

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