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G12181-003A Sensor fotoeléctrico infrarrojo (fotodiodo PIN InGaAs) para sistemas de comunicación óptica

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CHINA ShenzhenYijiajie Electronic Co., Ltd. certificaciones
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G12181-003A Sensor fotoeléctrico infrarrojo (fotodiodo PIN InGaAs) para sistemas de comunicación óptica

G12181-003A Sensor fotoeléctrico infrarrojo (fotodiodo PIN InGaAs) para sistemas de comunicación óptica
G12181-003A Sensor fotoeléctrico infrarrojo (fotodiodo PIN InGaAs) para sistemas de comunicación óptica

Ampliación de imagen :  G12181-003A Sensor fotoeléctrico infrarrojo (fotodiodo PIN InGaAs) para sistemas de comunicación óptica

Datos del producto:
Lugar de origen: Japón
Número de modelo: G12181-003A
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: 1 por ciento
Precio: Negociable
Detalles de empaquetado: Embalaje estándar
Tiempo de entrega: 5-8 días de trabajo
Condiciones de pago: L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, Moneygram
Capacidad de la fuente: 5000pcs

G12181-003A Sensor fotoeléctrico infrarrojo (fotodiodo PIN InGaAs) para sistemas de comunicación óptica

descripción
Coeficiente de temperatura de sensibilidad: 1.08 veces/℃ Rango de temperatura de almacenamiento: -55 ℃ -125 ℃
Rango de temperatura de funcionamiento: -40 ℃ -100 ℃ Voltaje inverso máximo (Vᵣₘₐₓ): 20 V
Resistencia de desviación: 300 ~ 1200 MΩ Capacitancia de empalme: Típ. 4 PF
Resaltar:

Sensores fotoeléctricos de infrarrojos para comunicación óptica

,

Sensor de fotodiodo PIN de InGaAs

,

Sensor fotoeléctrico con tecnología InGaAs

 

             Sensor fotoeléctrico infrarrojo G12181-003A (fotodiodo PIN de InGaAs) para sistemas de comunicación óptica   

 

Áreas de aplicación:

  • Sistemas de comunicación óptica: Detecta señales NIR de alta velocidad (bandas de 1.3/1.55 μm) en transceptores de fibra óptica, lo que permite una transmisión de datos fiable en redes de telecomunicaciones.
  • Medidores de potencia óptica de precisión: Sirve como un componente de detección central para medir la potencia óptica NIR en pruebas de laboratorio, mantenimiento de fibra óptica y calibración de láseres.
  • Monitorización y pruebas de láseres: Permite la monitorización en tiempo real de la intensidad de salida del láser (por ejemplo, en láseres industriales, láseres médicos) y pruebas de ciclo de vida de los diodos láser.
  • Fotometría de infrarrojo cercano: Se utiliza en análisis bioquímicos, ciencia de materiales y monitorización ambiental para medir la absorción, transmisión o reflexión de la luz NIR.
  • Aeroespacial y defensa: Adecuado para la detección de objetivos basada en NIR, teledetección y sistemas de guiado óptico (gracias al amplio rango de temperatura y al bajo ruido).

Características principales:

  • Cobertura NIR amplia: El rango espectral de 0.9–1.7 μm se alinea con las longitudes de onda clave para aplicaciones de comunicación, láser y fotometría.
  • Corriente oscura ultrabaja: La corriente oscura máxima de 0.3 nA minimiza el ruido de fondo, lo que garantiza una alta relación señal-ruido (SNR) para la detección con poca luz.
  • Respuesta de alta velocidad: La frecuencia de corte de 800 MHz admite la detección rápida de señales, ideal para la comunicación óptica de gran ancho de banda o la monitorización de láseres pulsados.
  • Paquete compacto y duradero: El paquete metálico TO-18 ofrece estabilidad mecánica, fácil integración en circuitos y compatibilidad con montajes ópticos estándar.
  • Sensibilidad constante: El bajo coeficiente de temperatura de la sensibilidad garantiza un rendimiento fiable en diferentes temperaturas ambiente.

Parámetro

Especificación (Típ. / Máx.)

Condiciones de prueba

Área fotosensible φ0.3 mm -
Número de elementos de detección 1 (Elemento único) -
Método de refrigeración Sin refrigeración (refrigeración ambiente pasiva) -
Rango de respuesta espectral 0.9 – 1.7 μm Cubre bandas NIR críticas (por ejemplo, 1.3/1.55 μm para telecomunicaciones)
Longitud de onda de sensibilidad máxima ~1.55 μm -
Fotosensibilidad Típ. 1.1 A/W λ = 1.55 μm, Voltaje inverso (Vᵣ) = 5V, Tₐ = 25℃
Corriente oscura Máx. 0.3 nA Vᵣ = 5V, Tₐ = 25℃, Sin luz incidente
Frecuencia de corte (-3dB) Típ. 800 MHz Vᵣ = 5V, Resistencia de carga (Rₗ) = 50Ω, λ = 1.3 μm
Capacitancia de unión Típ. 4 pF Vᵣ = 5V, Frecuencia (f) = 1 MHz
Potencia equivalente de ruido (NEP) Típ. 3.5×10⁻¹⁵ W/Hz¹/² λ = 1.55 μm, Vᵣ = 5V, Tₐ = 25℃
Detectividad (D*) Típ. 7.2×10¹² cm·Hz¹/²/W λ = 1.55 μm, Vᵣ = 5V, Tₐ = 25℃
Resistencia de derivación 300 – 1200 MΩ Vᵣ = 0V, Tₐ = 25℃, Sin luz
Voltaje inverso máximo (Vᵣₘₐₓ) 20 V Tₐ = 25℃
Rango de temperatura de funcionamiento -40℃ – 100℃ Rendimiento estable en entornos industriales hostiles
Rango de temperatura de almacenamiento -55℃ – 125℃ -
Coeficiente de temperatura de sensibilidad 1.08 veces/℃ En relación con 25℃, λ = 1.55 μm

 

G12181-003A Sensor fotoeléctrico infrarrojo (fotodiodo PIN InGaAs) para sistemas de comunicación óptica 0

 

Contacto
ShenzhenYijiajie Electronic Co., Ltd.

Persona de Contacto: Miss. Xu

Teléfono: 86+13352990255

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