CHINA Sensor fotoeléctrico infrarrojo

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  Fotodiodo PIN de arseniuro de indio y galio (InGaAs) de alto rendimiento G12183-003K para medidores de potencia óptica y detección de potencia láser

  Tipo de paquete:TO-18

  Tipo de montaje:Orificio pasante (3 pines)

  Recuento de pines:3 alfileres

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  S5981 Fotodiodo PIN de silicio de montaje de superficie de 4 segmentos para maquinaria de procesamiento industrial y de precisión

  Tipo de detector:Matriz de fotodiodos Si PIN de 4 segmentos

  Rango espectral:320~1100 nanómetro

  Longitud de onda máxima:960 nm (típico)

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  Fotometría de precisión UV a visible Sensibilidad infrarroja infrarroja suprimida del silicio PhotoS1227-16BQ S1227-33BQ S1227-66BQ S1227-1010BQ

  Tamaño del área activa:1,1*5,9

  Paquete:2,7*15

  Área activa efectiva:5.9

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  S2386-18L Fotodiodo de silicio para fotometría de propósito general de visible a infrarrojo cercano

  Pakcage:TO-18

  Válvula inversa VR máximo:30V

  Temperatura de funcionamiento:-40 a +100 ℃

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  JSIR350-4-AL-R-D6 NDIR Análisis de gases Fuentes de radiación infrarroja En T039

  Corriente de operación 2:Tipo 141mA

  Masa:~ 1G

  Resistente al calor:40 ± 20Ω

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  Sensores de fotodiodo PIN de InGaAs G12183-010K, tipo de longitud de onda larga, bajo ruido

  - ¿ Qué?:No refrigerados

  longitud de onda de corte:2.55 a 2.6 Um

  Temperatura de funcionamiento:-40 a +85 °C

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  L4643 10 W Lámparas de xenón de bajo costo Electrodos de larga duración Vidrio borosilicato

  Duración garantizada *4:1 x 10°

  Tasa máxima de repetición *1:100Hz

  Material de los tubos laterales:Vidrio de borosilicato

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  RPFA913CC Sensor de llama piroeléctrica Efecto piroeléctrico de un solo canal

  Tamaño de la ventana:5.0*5.0 mm

  Tamaño del elemento sensible:3*3 mm

  Longitud de onda del centro de filtrado:3.8um

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  RDA226S-F Sensor de infrarrojos piroeléctricos digitales Proceso de señal AD de alta precisión

  Voltaje:2,7-3V

  Límite de pines:-100 a 100 mA

  Temperatura de almacenamiento:-40 a 125 °C

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  S14137-01CR Fotosensor con IC frontal de extremo compacto de 16 elementos de la matriz APD

  Número de salida:16

  Piso de los elementos:0,5 mm

  Área fotosensible (por elemento):0.15 x 0.43 mm

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  S16429-01CT Fotosensor con IC de extremo frontal integrado en el APD estabilizado de ganancia

  Área fotosensible:Diámetro 0,2 mm

  Voltaje inverso:0 a VBR

  Material de sellado:Resina de silicona

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  S14645 Si APD de alta velocidad montaje de superficie compacto de alta sensibilidad con funcionamiento de baja parcialidad

  Temperatura de almacenamiento:-40 a +100 °C

  Tamaño fotosensible:0,2 mm

  Corriente directa:10 mA

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