Voltaje:2,7-3V
Límite de pines:-100 a 100 mA
Temperatura de almacenamiento:-40 a 125 °C
Número de salida:16
Piso de los elementos:0,5 mm
Área fotosensible (por elemento):0.15 x 0.43 mm
Área fotosensible:Diámetro 0,2 mm
Voltaje inverso:0 a VBR
Material de sellado:Resina de silicona
Temperatura de almacenamiento:-40 a +100 °C
Tamaño fotosensible:0,2 mm
Corriente directa:10 mA
Área fotosensible eficaz:1.3 x 1,1 mm
Resistencia térmica:409
Paso de píxeles:25um
Paquete:Epoxi
Detector:Si APD matriz
Número de salida:16
paquete de plástico:6*8mm
Rango de respuesta espectral:400 a 540 nm (p=460 nm)
Alta sensibilidad:Alta sensibilidad
Área fotosensible:3,2×3,2 milímetros
Corriente oscura máxima:0.2 nA
Tiempo de subida:0,5 μs
Temperatura de funcionamiento TOPR:-10 a +60
Temperatura de almacenamiento TSTG:-20 a +70
Tamaño del paquete:9,0*9,6*2,1mm
S9219:φ11,3 mm (circular)
S9219-01:3,6×3,6 mm (cuadrado)
Cuenta del pixel:1 (un solo píxel)
Área fotosensible:φ0,3 mm
longitud de onda de sensibilidad máxima (típica):1.55 μm
Enfriamiento:Sin enfriar
Modelo no.:DS-UV254P3Z-3535AA-S-06
Material con chip:Algainp
Color emisor:Luz púrpura