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Datos del producto:
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| Temperatura de almacenamiento: | -40 a +100 °C | Tamaño fotosensible: | 0,2 mm |
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| Corriente directa: | 10 mA | Área fotosensible eficaz: | 0.03 mm2 |
| Corriente de corriente continua inversa: | 0.2 mA | Temperatura de funcionamiento: | -30 a +100 °C |
| Resaltar: | 0.03 mm2 Sensor fotoeléctrico de infrarrojos,S14645 Sensor fotoeléctrico infrarrojo,S14645 Transmisor infrarrojo |
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S14645 Si APD de alta velocidad montaje de superficie compacto de alta sensibilidad con funcionamiento de baja parcialidad
APD de Si compacto de alta velocidad para LiDAR (banda de 900 nm) con funcionamiento de bajo sesgo
Este es un APD compacto de montaje superficial de tipo Si que logra una alta sensibilidad en la banda de 900 nm.Este dispositivo es adecuado para el monitoreo con láser de telémetros ópticos ampliamente utilizados desde productos electrónicos de consumo hasta usos industriales..
Características
- Envases pequeños: 3,1 × 1,8 × 1,0 t mm
- longitud de onda de sensibilidad máxima: 840 nm (M=100)
- Función de baja inclinación: tensión de ruptura = 195 V máximo.
- Respuesta de alta velocidad: frecuencia de corte = 600 MHz típico (λ=900 nm, M=100)
- Reducción de la variación del voltaje de ruptura: 175 ± 20 V
Especificación:
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El tipo Para el LiDAR
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(banda de 900 nm, operación de sesgo bajo) |
| Área fotosensible | φ0,2 mm |
| Paquete | Las demás |
| Categoría del paquete | Tipo de montaje de superficie |
| longitud de onda de sensibilidad máxima (típico) | 840 nm |
| Rango de respuesta espectral | de 400 a 1100 nm |
| Fotosensibilidad (típica) | 0.5 A/W |
| Corriente oscura (máximo) | 0.4 nA |
| Frecuencia de corte (típico) | 600 MHz |
| Capacidad terminal (típico) | 0.5 pF |
| Voltado de ruptura (típico) | de una potencia superior a 175 V |
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Coeficiente de temperatura del voltaje de ruptura (típico)
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1.1 V/°C Aumento (típico) 100
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| Condición de medición Es un tipo. | Ta=25 °C |
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Persona de Contacto: Xu
Teléfono: 86+13352990255