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Fotodiodo PIN de arseniuro de indio y galio (InGaAs) de alto rendimiento G12183-003K para medidores de potencia óptica y detección de potencia láser

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CHINA ShenzhenYijiajie Electronic Co., Ltd. certificaciones
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Fotodiodo PIN de arseniuro de indio y galio (InGaAs) de alto rendimiento G12183-003K para medidores de potencia óptica y detección de potencia láser

Fotodiodo PIN de arseniuro de indio y galio (InGaAs) de alto rendimiento G12183-003K para medidores de potencia óptica y detección de potencia láser
Fotodiodo PIN de arseniuro de indio y galio (InGaAs) de alto rendimiento G12183-003K para medidores de potencia óptica y detección de potencia láser Fotodiodo PIN de arseniuro de indio y galio (InGaAs) de alto rendimiento G12183-003K para medidores de potencia óptica y detección de potencia láser Fotodiodo PIN de arseniuro de indio y galio (InGaAs) de alto rendimiento G12183-003K para medidores de potencia óptica y detección de potencia láser Fotodiodo PIN de arseniuro de indio y galio (InGaAs) de alto rendimiento G12183-003K para medidores de potencia óptica y detección de potencia láser Fotodiodo PIN de arseniuro de indio y galio (InGaAs) de alto rendimiento G12183-003K para medidores de potencia óptica y detección de potencia láser Fotodiodo PIN de arseniuro de indio y galio (InGaAs) de alto rendimiento G12183-003K para medidores de potencia óptica y detección de potencia láser Fotodiodo PIN de arseniuro de indio y galio (InGaAs) de alto rendimiento G12183-003K para medidores de potencia óptica y detección de potencia láser

Ampliación de imagen :  Fotodiodo PIN de arseniuro de indio y galio (InGaAs) de alto rendimiento G12183-003K para medidores de potencia óptica y detección de potencia láser

Datos del producto:
Lugar de origen: Japón
Número de modelo: G12183-003K
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: 1
Precio: Negociable
Detalles de empaquetado: Caja de papel
Tiempo de entrega: 3-5 días de trabajo
Condiciones de pago: LC, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente: 5000 piezas
Contacto

Fotodiodo PIN de arseniuro de indio y galio (InGaAs) de alto rendimiento G12183-003K para medidores de potencia óptica y detección de potencia láser

descripción
Tipo de paquete: TO-18 Tipo de montaje: Orificio pasante (3 pines)
Recuento de pines: 3 alfileres Dimensión de la ventana: 3,0 ± 0,1 mm
Diámetro de la ventaja: 0,45 milímetros Distancia: -0,2 ≤x≤+0,2 mm
Resaltar:

Fotodiodo PIN InGaAs para medidores de potencia óptica

,

Fotodiodo InGaAs de alto rendimiento para detección láser

,

Sensor fotoeléctrico infrarrojo con tecnología InGaAs

 

G12183-003K Fotodiodo PIN de alto rendimiento de arseniuro de indio y galio (InGaAs) para medidores ópticos de potencia y detección de potencia láser

 

 

Características:


Fotodiodo InGaAs PIN para la detección del infrarrojo cercano largo
Respuesta espectral amplia: de 0,9 μm a 2,6 μm
Alta sensibilidad a una longitud de onda máxima de 2,3 μm
Alta capacidad de respuesta: 1,0 a 1,3 A/W
Área activa pequeña: φ0,3 mm
Baja corriente oscura para mejorar la relación señal-ruido
Paquete de metal TO-18 compacto
Buena velocidad de respuesta y bajo ruido
Temperatura de funcionamiento: -40°C a +85°C
Compatible con la Directiva RoHS
Apta para el funcionamiento sin enfriamiento

 

 

 

Aplicaciones:


Los demás aparatos para la fabricación de equipos o aparatos
Análisis de gases
Contadores de humedad
Fotometría y espectroscopia NIR (infrarrojo cercano)
Control de los procesos industriales
Análisis del medio ambiente
Pruebas de comunicación óptica

 

 

Parámetro

- ¿ Qué?

Tipo de producto

- ¿ Qué es?

Unidad

Condición de ensayo
Rango de respuesta espectral 0.9 - 2.6 Mm Ta=25°C
Duración de onda de sensibilidad máxima - 2.3 - Mm Ta=25°C
La sensibilidad a la luz (reactividad) 1.0 1.3 - A/W En λ=2,3 μm, Ta=25°C
Corriente oscura - 0.4 4 MPa V = 0,5 V, Ta = 25 °C
Temperatura de corriente oscura. - 1.035 - tiempo/°C V = 0,5 V
Cortar frecuencia - 50 - frecuencia de radio Ta=25°C
Capacidad del terminal - 50 100 pF V = 0 V, f = 10 kHz
Válvula de reversión (máximo) - - 1 V. Ta=25°C
Resistencia a la derivación 20 - 100 KΩ Ta=25°C
Rango de temperatura de funcionamiento -40 años. - + 85 °C Especificación completa
Rango de temperatura de almacenamiento - 55 años - +125 °C -
Área fotosensible - φ0 es el valor de3 - En el caso de los -
Número de elementos - 1 - - -
Temperatura de soldadura - - 260 °C Duración ≤ 10 s
Material de las ventanas - Vidrio de borosilicato - - -

 

Fotodiodo PIN de arseniuro de indio y galio (InGaAs) de alto rendimiento G12183-003K para medidores de potencia óptica y detección de potencia láser 0

etiqueta:

Sensor fotoeléctrico infrarrojo R9533,

Sensor del color del RGB,

Sensor de la llama de UVTRON

Contacto
ShenzhenYijiajie Electronic Co., Ltd.

Persona de Contacto: Miss. Xu

Teléfono: 86+13352990255

Envíe su pregunta directamente a nosotros (0 / 3000)

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