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S1337-1010BR Fotodiodo de Si para fotometría de precisión UV a IR Baja capacitancia

Certificación
CHINA ShenzhenYijiajie Electronic Co., Ltd. certificaciones
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S1337-1010BR Fotodiodo de Si para fotometría de precisión UV a IR Baja capacitancia

S1337-1010BR Fotodiodo de Si para fotometría de precisión UV a IR Baja capacitancia
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Ampliación de imagen :  S1337-1010BR Fotodiodo de Si para fotometría de precisión UV a IR Baja capacitancia

Datos del producto:
Lugar de origen: Japón
Nombre de la marca: Hamamatsu
Número de modelo: S1337-1010BR
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: 1
Precio: Negociable
Detalles de empaquetado: Caja estándar
Tiempo de entrega: 3-5 trabajos de día
Condiciones de pago: L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, Moneygram
Capacidad de la fuente: 3000pcs/mes

S1337-1010BR Fotodiodo de Si para fotometría de precisión UV a IR Baja capacitancia

descripción
Material de ventana: Conchas de resina Paquete: 15*16.5 mm
Fotosensibles son tamaño: 10*10m m Área fotosensible eficaz: 100mm2
Resaltar:

Fotodiodo de Si UV a IR

,

Fotodiodo de baja capacitancia

,

Fotodiodo para fotometría de precisión

S1337-1010BR Fotodiodo de Si para fotometría de precisión UV a IR, baja capacitancia

 

Características:
Alta sensibilidad UV: QE75% (λ=200 nm)
Baja capacitancia


Aplicaciones:
Equipos analíticos
Equipos de medición óptica

 

Especificaciones:
 

Inversa  5V
Temperatura de funcionamiento  -20 a +60℃
Temperatura de almacenamiento  -20 a +80℃


 

S1337-1010BR Fotodiodo de Si para fotometría de precisión UV a IR Baja capacitancia 0

 

Contacto
ShenzhenYijiajie Electronic Co., Ltd.

Persona de Contacto: Xu

Teléfono: 86+13352990255

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