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Datos del producto:
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Voltaje inverso: | 10 V | Disipación de potencia: | 300 mW |
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TEMPERATURA DE EMPALME: | 125 °C | Rango de temperatura de funcionamiento: | - 40 a + 125 ℃ |
Rango de temperatura de almacenamiento: | - 40 a + 125 ℃ | Soldering temperature: | 260℃ |
Resaltar: | Fotodiodo de silicio PN planar de baja corriente oscura,Sensor infrarrojo de fotodiodo de paquete TO-5,Fotodiodo BPW21R con garantía |
BPW21R Fotodiodo planar de silicio PN de baja corriente oscura TO-5 paquete
Características
• Tipo de envase: con plomo
• Formulario de paquete: TO-5
• Dimensiones (en mm): Ø 8.13
• Área sensible a la radiación (en mm2): 7.5
• Alta sensibilidad fotográfica
• Adaptado a la sensibilidad del ojo humano
• Ángulo de semisensibilidad: φ = ± 50°
• Envase herméticamente sellado
• Cátodo conectado al paquete
• Ventana de vidrio plano
• Baja corriente oscura
• Alta resistencia a las derivaciones
• Alta linealidad
• Cumple con la Directiva RoHS 2002/95/CE y
de conformidad con los RAEE 2002/96/CE
Las aplicaciones
• Sensores para la exposición y la medición del color
Especificación:
Válvula de carga | 1.0-1.3V |
Voltado de ruptura | 10 V |
Corriente oscura inversa | 2-30nA |
Capacidad del diodo | 1.2nF |
Resistencia oscura | 38GΩ |
Persona de Contacto: Xu
Teléfono: 86+13352990255