Descripción del producto:
YJJ S12023-02 Fotodiodo de silicio de tipo infrarrojo cercano para instrumento óptico de medición de distancias
Características:
Tensión baja de sesgo, adecuada para banda de 800 nm
Se trata de un APD de silicio de 800nm cerca del infrarrojo que puede operar a un voltaje de sesgo bajo de 200V o menos. Adecuado para FSO (óptica de espacio libre) y aplicaciones de telémetros ópticos.
Características del producto
Funcionamiento estable bajo baja tensión de sesgo
Respuesta de alta velocidad
Alta sensibilidad y bajo ruido
Parámetros detallados
Tipo del infrarrojo cercano (operación de sesgo bajo)
Fotosensible a
Metal encapsulado
El tipo de encapsulación es TO-18
longitud de onda de sensibilidad máxima (valor típico) 800 nm
El rango de respuesta espectral es de 400 a 1000 nm
La sensibilidad (valor típico) 0,5a /W
Corriente oscura (máximo) 0,5 Na
Frecuencia de corte (valor típico) 1000 MHz
Capacidad de unión (típica) 1 pF
Voltado de ruptura (valor típico) 150 V
Coeficiente de temperatura del voltaje de ruptura (valor típico) 0,65 V/°C
Ganancia (valor típico) 100
Ta=25 °C, a menos que se indique, fotosensibilidad: λ=800 nm, M=1
Especificaciones:
| Área fotosensible |
0.2 mm |
| el tipo de encapsulación es |
TO-18 (en inglés) |
| longitud de onda de sensibilidad máxima (valor típico) |
800 nm |
| el rango de respuesta espectral es |
de 400 a 1000 nm |
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