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S12023-02-01 Fotodiodo de avalancha de silicio, operación infrarroja de bajo voltaje

Name: S12023-02-01 Fotodiodo de avalancha de silicio, operación infrarroja de bajo voltaje
Brand: ShenzhenYijiajie Electronic Co., Ltd.
SKU: S12023-02-01
Price: 18.00 USD
Availability: InStock

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Certificación

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S12023-02-01 Fotodiodo de avalancha de silicio, operación infrarroja de bajo voltaje

Ampliación de imagen : S12023-02-01 Fotodiodo de avalancha de silicio, operación infrarroja de bajo voltaje

Datos del producto:

Lugar de origen:	JAPÓN
Nombre de la marca:	Hamamatsu
Número de modelo:	S12023-02-01

Pago y Envío Términos:

Cantidad de orden mínima:	1
Precio:	Negociable
Detalles de empaquetado:	Paquete estándar
Tiempo de entrega:	3-5 trabajos de día
Condiciones de pago:	LC, D/A, D/P, T/T
Capacidad de la fuente:	10000 unidades/mes

Contacto

S12023-02-01 Fotodiodo de avalancha de silicio, operación infrarroja de bajo voltaje

descripción

Tipo:

Infrarrojo cercano (operación de baja polarización)

Tamaño del área activa:

φ0,2 mm

Material del paquete:

Metal

Tipo de paquete:

TO-18

Resaltar:

Sensor infrarrojo de fotodiodo de avalancha de silicio

Fotodiodo infrarrojo de operación de bajo voltaje

Sensor fotoeléctrico infrarrojo con garantía

S12023-02-01 Fotodiodo de avalancha de silicio Operación de bajo voltaje infrarrojo

Este fotodiodo de avalancha de silicio (Si APD) está diseñado para el rango del infrarrojo cercano (banda de 800 nm) y opera a voltajes bajos de 200 V o menos. Es adecuado para aplicaciones como telémetros ópticos y comunicación óptica en espacio libre.

Características:
・Operación estable a bajo voltaje de polarización
・Velocidad de respuesta rápida
・Alta sensibilidad y bajo ruido

Especificación:

Longitud de onda de sensibilidad máxima (típica)	800 nm
Rango de longitud de onda de sensibilidad	400–1000 nm
Fotosensibilidad (típica)	0.5 A/W
Corriente oscura máxima	0.5 nA
Frecuencia de corte (típica)	1000 MHz
Capacitancia terminal típica	1 pF
Voltaje de ruptura (típico)	150 V
Coeficiente de temperatura del voltaje de ruptura (típico)	0.65 V/°C
Factor de multiplicación (típico)	100

S12023-02-01 Fotodiodo de avalancha de silicio, operación infrarroja de bajo voltaje

etiqueta:

Persona de Contacto: Xu

Teléfono: 86+13352990255

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