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Datos del producto:
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| Rango de voltaje de ruptura: | 80 V ~ 120 V (ID=100 μA) | Área fotosensible eficaz: | 0,2 milímetros |
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| Rango de respuesta espectral: | 400 nanómetro ~ 1000 nanómetro | longitud de onda de sensibilidad máxima: | Las demás medidas |
| Resaltar: | Fotodiodo de avalancha de silicio para Lidar,Telémetro óptico de fotodiodo de alto rendimiento,Sensor fotoeléctrico infrarrojo para monitorización láser |
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S12023-02-01 Fotodiodo de avalancha de silicio de alto rendimiento para sistemas Lidar y de alcance óptico, monitoreo y detección láser
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Modelo de producto
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S12023-02-01
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Principio de detección
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Electroquímico de tres electrodos
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Rango de temperatura de trabajo
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-20℃ ~ +50℃
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Rango de humedad de trabajo
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10%~95% RH (sin condensación)
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Rango de temperatura de almacenamiento
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-30 ℃ ~ +60 ℃
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Repetibilidad
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≤ ±2% FS
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Deriva cero
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Deriva de línea base ultrabaja para operación a largo plazo
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Tiempo de respuesta (T90)
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≤ 120s
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Resistencia a la sobrecarga
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Soporta sobrecarga instantánea de gas de alta concentración.
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Persona de Contacto: Miss. Xu
Teléfono: 86+13352990255