CHINA Sensor ULTRAVIOLETA del fotodiodo

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  Sensor de supervisión ultravioleta del sensor ULTRAVIOLETA del fotodiodo de GS-ABC-2835M Solar

  Chip Size:0,22 mm2

  Paquete:SMD 2835

  Características:Alta sensibilidad, ceguera ligera visible actual, buena oscura baja

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  sensor ULTRAVIOLETA 0.22mm2 GT-ABC-M del índice de 355 nanómetro para la supervisión ULTRAVIOLETA de la lámpara de la desinfección

  Descripción de producto:El tamaño del microprocesador es 0.22mm2

  encapsulación:TO46

  Material:Ventana del zafiro

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  Sensor de detección de fotodiodos UV de GT-UVB-M

  tamaño del microprocesador:0.77 mm2

  Encapsulación:TO46

  Características:Ventana de zafiro, alta sensibilidad, baja corriente oscura

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  Sensor ULTRAVIOLETA de la supervisión del índice de Schottky del sensor ULTRAVIOLETA de la lámpara de GUVA-S12SD

  Temperatura de almacenamiento:-40-90°

  Temperatura de trabajo:-30-85°

  Voltaje reverso:Top - 30 ℃ Vr, máximo. Si, ㎂ máximo de V Ir = 1

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  GT-UV400-L Sensor de fotodiodo UV de ventana de zafiro para monitoreo fotocatalítico UV

  tamaño del microprocesador:1 mm2

  Encapsulación:TO46

  Características:Ventana de zafiro, alta sensibilidad, baja corriente oscura

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  Base del nitruro del galio del sensor de G365T01L UVA UVB que actúa en modo fotovoltaico

  Material:materia prima del nitruro del galio

  Objeto de prueba:fotodiodo de banda ancha de UVA+UVB+UVC

  Principio:Funcionamiento en modo fotovoltaico

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  UVA GaN-basó la operación fotovoltaica ULTRAVIOLETA del modo del sensor GS-AB-S del fotodiodo

  Material:materia prima del nitruro del galio

  Banda ancha:Fotodiodo de UVA+UVB+UVC

  Principio:Funcionamiento en modo fotovoltaico

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  Control del índice UV de fotodiodo UV basado en GT-ABC-L GaN

  El material:Material base de nitruro de galio

  Condiciones de prueba:fotodiodo UVA+UVB+UVC de banda ancha

  Principio:Funcionamiento en modo fotovoltaico

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  S1226-5BQ Fotodiodo de pin SI para fotometría de precisión de UV a visible suprime la sensibilidad cercana al IR

  Paquete:TO-5

  Tamaño de la zona fotosensible:2.4*2.4 mm

  Voltagem inversa:5 V

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  S1227-66BR Si Fotodiodo Alta sensibilidad UV Sensibilidad IR Voltaje inverso VR Max 5V

  Paquete:8,9*10,1mm

  Tamaño del área activa:5,8*5,8mm

  Voltaje inverso VR Máx.:5V

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  S1337-33BR 10-20mA Interfaz analógica de fotodiodo Si para mediciones precisas

  Tiempo de respuesta:1-2MS

  Sensibilidad:En alto.

  Temperatura de almacenamiento:-40 a +125°C

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  S12060-10 Fotodiodo de avalancha de silicio coeficiente de baja temperatura

  El tipo:Tipo del infrarrojo cercano

  Área fotosensible:φ1 mm

  Paquete:El metal

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