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Datos del producto:
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| Material: | materia prima del nitruro del galio | Banda ancha: | Fotodiodo de UVA+UVB+UVC |
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| Principio: | Funcionamiento en modo fotovoltaico | Empaquetado: | TO-46 |
| Objeto de prueba: | Detección ultravioleta | ||
| Resaltar: | Sensor ULTRAVIOLETA GS-AB-S del fotodiodo,Sensor ULTRAVIOLETA GaN-basado del fotodiodo,Fotodiodo ULTRAVIOLETA de UVA |
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Descripción de producto:
GS-AB-S GaN-basó el fotodiodo ULTRAVIOLETA
Características:
Fotodiodo amplio de la banda UVA+UVB+UVC
Operación fotovoltaica del modo
Vivienda de TO-46metal
Buena ceguera visible
Alto responsivity y corriente oscura baja
Supervisión ULTRAVIOLETA del índice, medida ULTRAVIOLETA de la dosis de radiación, detección de la llama
Especificación
| Parámetros | Símbolo | Valor | Unidad |
| Grados máximos | |||
| Gama de temperaturas de la operación | Topt | -25-85 | Oc |
| Gama de temperaturas de almacenamiento | Tsto | -40-85 | Oc |
| Temperatura que suelda (3 s) | Tsol | 260 | Oc |
| Voltaje reverso | Vr-máximo | -10 | V |
| Características generales (25 Oc) | |||
| Tamaño del microprocesador | 1 | mm2 | |
| Actual oscuro (Vr = -1 V) | Identificación | <1> | nA |
| Coeficiente de temperatura (@265 nanómetro) | Tc | 0,05 | % Oc |
| Capacitancia (en 0 V y 1 megaciclo) | Cp | 18 | PF |
| Características de respuesta espectral (25 Oc) | |||
| Longitud de onda del responsivity máximo | λ p | 355 | nanómetro |
| Responsivity máximo (en 355 nanómetro) | Rmax | 0,20 | A/W |
| Gama de la respuesta espectral (R=0.1×Rmax) | - | 210-370 | nanómetro |
| ratio de rechazo Ultravioleta-visible (Rmax/R400 nanómetro) | - | >104 | - |
Especificaciones:
| Especificaciones | Parámetros |
| Longitud de onda máxima | 355NM |
| Sensibilidad ligera | 0.20A/W |
| Tiempo de subida | 3US |
| Condiciones de prueba | valores típicos, Ta=25° |
Persona de Contacto: Xu
Teléfono: 86+13352990255
