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Funcionamiento en modo fotovoltaico basado en fotodiodo UV GT-UVV-LW InGaN

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Funcionamiento en modo fotovoltaico basado en fotodiodo UV GT-UVV-LW InGaN

Funcionamiento en modo fotovoltaico basado en fotodiodo UV GT-UVV-LW InGaN
Funcionamiento en modo fotovoltaico basado en fotodiodo UV GT-UVV-LW InGaN

Ampliación de imagen :  Funcionamiento en modo fotovoltaico basado en fotodiodo UV GT-UVV-LW InGaN

Datos del producto:
Lugar de origen: China.
Nombre de la marca: UV
Número de modelo: GT-UVV-LW
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: 1
Precio: Negociable
Detalles de empaquetado: El tubo
Tiempo de entrega: días 3-5work
Condiciones de pago: L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente: 2000 piezas/mes

Funcionamiento en modo fotovoltaico basado en fotodiodo UV GT-UVV-LW InGaN

descripción
tamaño del microprocesador: 1 mm2 Encapsulación: TO46
Longitud de onda de la respuesta: 290 a 440 nm Aplicación típica: Monitoreo del curado UV
Resaltar:

Módulo UVC del sensor de GaN

,

Curado ULTRAVIOLETA del módulo UVC del sensor

,

Fotodiodo de SIC

Descripción del producto:

Funcionamiento en modo fotovoltaico basado en fotodiodo UV GT-UVV-LW InGaN

 

Características:

Características generales: l Material a base de nitruro de indio y de galio

L Funcionamiento en modo fotovoltaico

Casilla de metal para el TO-46

L Alta capacidad de respuesta y baja corriente oscura

Aplicaciones: Monitoreo de LED UV, medición de dosis de radiación UV, curado UV

Parámetros Valor del símbolo Unidad Clasificaciones máximas

Rango de temperatura de funcionamiento Topt -25-85 oC

Intervalo de temperatura de almacenamiento Tto -40-85 oC

Temperatura de soldadura (3 s) Tsol 260 oC

Ventilación inversa Vr-máximo -10 V

Características generales (25 oC) Tamaño del chip A 1 mm2 Corriente oscura (Vr = -1 V) Id

< 1 nA Coeficiente de temperatura Tc 0,05 %/ oC Capacidad (a 0 V y 1 MHz) Cp 60 p>

 

Especificaciones:

Especificaciones Parámetros
longitud de onda máxima 390 nm
Sensibilidad a la luz 0.289A/W
El rango de respuesta espectral (R=0,1 × Rmax) - 290 a 440 nm
La relación de rechazo UV visible (Rmax/R400 nm) - > 10

Funcionamiento en modo fotovoltaico basado en fotodiodo UV GT-UVV-LW InGaN 0

Contacto
ShenzhenYijiajie Electronic Co., Ltd.

Persona de Contacto: Xu

Teléfono: 86+13352990255

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