GS-UVV-3535LCW Sensor de fotodiodo UV basado en InGaN Detector de medición de radiación de curado

Descripción del producto:

GS-UVV-3535LCW Sensor de fotodiodo UV basado en InGaN Detector de medición de radiación de curado

Características:

Características generales:

Material a base de nitruro de indio y de galio

L Funcionamiento en modo fotovoltaico

El paquete cerámico SMD 3535 con ventana de cuarzo

L Alta capacidad de respuesta y baja corriente oscura

Aplicaciones: Monitoreo de LED UV, medición de dosis de radiación UV, curado UV

Parámetros Valor del símbolo Unidad Clasificaciones máximas

Rango de temperatura de funcionamiento Topt -25-85 oC

Intervalo de temperatura de almacenamiento Tto -40-85 oC

Temperatura de soldadura (3 s) Tsol 260 oC

Ventilación inversa Vr-máximo -10 V

Características generales (25 oC) Tamaño del chip A 1 mm2 Corriente oscura (Vr = -1 V) Id <1 nA Coeficiente de temperatura Tc 0,05 %/ oC Capacidad (a 0 V y 1 MHz) Cp 60 pF> <1 nA Coeficiente de temperatura Tc 0.065 %/ oC Capacidad (a 0 V y 1 MHz) Cp 1.7 pF>

< 1 nA Coeficiente de temperatura (@ 265 nm) Tc 0,05 %/ oC Capacidad (a 0 V y 1 MHz) Cp 18 p>

Especificaciones: