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Datos del producto:
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| tamaño del microprocesador: | 1 mm2 | Paquete: | SMD 3535 |
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| Características: | Ventana de cuarzo transparente, alta sensibilidad, baja corriente oscura | Longitud de onda de la respuesta: | 290 a 440 nm |
| Resaltar: | sensor ULTRAVIOLETA InGaN-basado del fotodiodo,Curado ULTRAVIOLETA del sensor del fotodiodo,Detector ULTRAVIOLETA del fotodiodo |
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Descripción del producto:
GS-UVV-3535LCW Sensor de fotodiodo UV basado en InGaN Detector de medición de radiación de curado
Características:
Características generales:
Material a base de nitruro de indio y de galio
L Funcionamiento en modo fotovoltaico
El paquete cerámico SMD 3535 con ventana de cuarzo
L Alta capacidad de respuesta y baja corriente oscura
Aplicaciones: Monitoreo de LED UV, medición de dosis de radiación UV, curado UV
Parámetros Valor del símbolo Unidad Clasificaciones máximas
Rango de temperatura de funcionamiento Topt -25-85 oC
Intervalo de temperatura de almacenamiento Tto -40-85 oC
Temperatura de soldadura (3 s) Tsol 260 oC
Ventilación inversa Vr-máximo -10 V
Características generales (25 oC) Tamaño del chip A 1 mm2 Corriente oscura (Vr = -1 V) Id <1 nA Coeficiente de temperatura Tc 0,05 %/ oC Capacidad (a 0 V y 1 MHz) Cp 60 pF> <1 nA Coeficiente de temperatura Tc 0.065 %/ oC Capacidad (a 0 V y 1 MHz) Cp 1.7 pF>
< 1 nA Coeficiente de temperatura (@ 265 nm) Tc 0,05 %/ oC Capacidad (a 0 V y 1 MHz) Cp 18 p>
Especificaciones:
| longitud de onda de la respuestas de pico | λ p 390 nm |
| Respuesta máxima (a 385 nm) | Rmax 0,289 A/W |
| El rango de respuesta espectral (R=0,1 × Rmax) | 290 a 440 nm |
| La relación de rechazo UV visible (Rmax/R450 nm) | - > 10 - |
Persona de Contacto: Xu
Teléfono: 86+13352990255
