CHINA Sensor ULTRAVIOLETA del fotodiodo

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  YJJ R2868 Tipo de ventana lateral luz UV entra en el UV y el detector de llama desde el lado de la bombilla R9454

  [Clasificación máxima:1

  Características de sensibilidad espectral (largas):El motor de carga

  Peso:1,5 g

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  S6430-01 Sensores de color RGB detectan plástico monocromático

  Área fotosensible:2.8 × 2,4 mm

  Rango de respuesta espectral:de 590 a 720 nm

  Corriente oscura (máximo):0.02 NA

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  S1226-5BQ Fotodiodo de pin SI para fotometría de precisión de UV a visible suprime la sensibilidad cercana al IR

  Paquete:TO-5

  Tamaño de la zona fotosensible:2.4*2.4 mm

  Voltagem inversa:5 V

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  S1227-66BR Si Fotodiodo Alta sensibilidad UV Sensibilidad IR Voltaje inverso VR Max 5V

  Paquete:8,9*10,1mm

  Tamaño del área activa:5,8*5,8mm

  Voltaje inverso VR Máx.:5V

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  S1337-33BR 10-20mA Interfaz analógica de fotodiodo Si para mediciones precisas

  Tiempo de respuesta:1-2MS

  Sensibilidad:En alto.

  Temperatura de almacenamiento:-40 a +125°C

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  S12060-10 Fotodiodo de avalancha de silicio coeficiente de baja temperatura

  El tipo:Tipo del infrarrojo cercano

  Área fotosensible:φ1 mm

  Paquete:El metal

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  R13192 Sensor de descarga de llama UV TRON Alta sensibilidad

  Peso:5.3 G

  Voltado de alimentación (DC):420 V

  Respuesta espectral (corta):No más de 185 Nm

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  R12257 Sensores de llama UV TRON UV encendido y apagado Alta sensibilidad

  Peso:5g

  Respuesta espectral (larga):300 Nm

  Tipo de sensibilidad:1200 Min-1

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  S2387-33R Sensor de fotodiodo de silicio UV para fotometría de propósito general

  Paquete:× 6 7,6 milímetros

  Luz-recepción de tamaño de la superficie:× 2,4 2,4 milímetros

  Área fotosensible eficaz:5,7 mm2

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  S7510 SI PIN Fotodiodo Respuesta de alta velocidad Tipo de montaje en superficie

  Superficie receptor de luz:11 × 6 mm

  Cuenta del pixel:1

  Paquete:Las demás

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  R14388 UV TRON UV Switch Efecto fotoeléctrico del metal y efecto de multiplicación del gas

  Máximo de fondo:5 Min-1

  Tipo de sensibilidad:10 000 Min-1

  Corriente máxima:50 mA

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  S12060-02 Fotodiodo de avalancha de silicio Senspr Tipo de APD de coeficiente de baja temperatura para banda de 800 Nm

  El tipo:En el infrarrojo cercano (coeficiente de baja temperatura)

  Superficie receptor de luz:φ0,2 mm

  Paquete:el metal

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