S12060-10 Cerca de - fotodiodo de avalancha de silicio de infrarrojo cercano para incluir principalmente telémetros ópticos

                          S12060-10 Fotodiodo de avalancha de silicio de infrarrojo cercano para principalmente incluir telémetros ópticos

Características principales:

Tiene un bajo coeficiente de temperatura de tensión de ruptura de 0,4 V/°C, lo que garantiza un funcionamiento estable en un amplio rango de temperaturas y no se ve fácilmente afectado por los cambios de temperatura ambiental.

1. Cuenta con un rendimiento de respuesta de alta velocidad con una frecuencia de corte típica de 600 MHz, lo que permite la captura y conversión rápidas de señales ópticas.
2. Combina alta sensibilidad (valor típico de 0,5 A/W) y bajo ruido (corriente oscura máxima de 2 nA), lo que puede detectar con precisión señales ópticas de infrarrojo cercano débiles.
3. El encapsulado metálico TO-18 tiene buena estabilidad estructural y es conveniente para la instalación e integración en varios dispositivos electrónicos.

Aplicaciones típicas:

Este sensor se utiliza ampliamente en escenarios que requieren detección óptica de infrarrojo cercano de alta precisión, incluyendo principalmente telémetros ópticos, sistemas de óptica de espacio libre (FSO), equipos de diagnóstico médico, dispositivos de comunicación óptica y otros campos que demandan una detección estable de señales ópticas en condiciones de temperatura variable.