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S1226-8BK Si PhotodiodeSuppressed Near IR Sensitivity UV to Visible

Certificación
CHINA ShenzhenYijiajie Electronic Co., Ltd. certificaciones
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S1226-8BK Si PhotodiodeSuppressed Near IR Sensitivity UV to Visible

S1226-8BK Si PhotodiodeSuppressed Near IR Sensitivity UV to Visible
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Ampliación de imagen :  S1226-8BK Si PhotodiodeSuppressed Near IR Sensitivity UV to Visible

Datos del producto:
Lugar de origen: Japón
Nombre de la marca: Hamamatsu
Número de modelo: S1226-8BK
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: 1
Precio: Negociable
Detalles de empaquetado: Caja estándar
Tiempo de entrega: 3-5 trabajos de día
Condiciones de pago: L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, Moneygram
Capacidad de la fuente: 3000pcs/meses

S1226-8BK Si PhotodiodeSuppressed Near IR Sensitivity UV to Visible

descripción
Paquete: TO-8 Tamaño de la zona fotosensible: 5.8*5.8 mm
Válvula inversa VR máximo: 5V Temperatura de funcionamiento: -40 a +100 °C
Resaltar:

UV photodiode sensor with suppressed IR

,

Si photodiode for UV to visible

,

S1226-8BK photodiode near IR suppressed

S1226-8BK Si PhotodiodeSuppressed Near IR Sensitivity UV to Visible

 

Features
Suppressed near IR sensitivity
High sensitivity in UV region (quartz glass type)
Low dark current
High reliability

 

Applications
>Analytical equipment
>Optical measurement equipment, etc.

 

Specification:

Spectral response range
320 to 1000 nm
Peak sensitivity wavelength (typ.) 720 nm
Photosensitivity (typ.) 0.36 A/W
Dark current (max.) 20 pA
Rise time (typ.) 2 μs
Terminal capacitance (typ.) 1200 pF
Noise equivalent power (typ.) 5.0×10-15 W/Hz1/2

S1226-8BK Si PhotodiodeSuppressed Near IR Sensitivity UV to Visible 0

Contacto
ShenzhenYijiajie Electronic Co., Ltd.

Persona de Contacto: Xu

Teléfono: 86+13352990255

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