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S1226-8BK Si PhotodiodeSuppressed Near IR Sensitivity UV to Visible

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CHINA ShenzhenYijiajie Electronic Co., Ltd. certificaciones
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S1226-8BK Si PhotodiodeSuppressed Near IR Sensitivity UV to Visible

S1226-8BK Si PhotodiodeSuppressed Near IR Sensitivity UV to Visible
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Ampliación de imagen :  S1226-8BK Si PhotodiodeSuppressed Near IR Sensitivity UV to Visible

Datos del producto:
Lugar de origen: Japón
Nombre de la marca: Hamamatsu
Número de modelo: S1226-8BK
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: 1
Precio: Negociable
Detalles de empaquetado: Caja estándar
Tiempo de entrega: 3-5 trabajos de día
Condiciones de pago: L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union,
Capacidad de la fuente: 3000pcs/meses
Contacto

S1226-8BK Si PhotodiodeSuppressed Near IR Sensitivity UV to Visible

descripción
Paquete: TO-8 Tamaño de la zona fotosensible: 5.8*5.8 mm
Válvula inversa VR máximo: 5V Temperatura de funcionamiento: -40 a +100 °C
Resaltar:

UV photodiode sensor with suppressed IR

,

Si photodiode for UV to visible

,

S1226-8BK photodiode near IR suppressed

S1226-8BK Si PhotodiodeSuppressed Near IR Sensitivity UV to Visible Features Suppressed near IR sensitivity High sensitivity in UV region (quartz glass type) Low dark current High reliability Applications >Analytical equipment >Optical measurement equipment, etc. Specification: Spectral response range 320 to 1000 nm Peak sensitivity wavelength (typ.) 720 nm Photosensitivity (typ.) 0.36 A/W Dark current (max.) 20 pA Rise time (typ.) 2 μs Terminal capacitance (typ.) 1200 pF

etiqueta:

Persianas solares del sensor ULTRAVIOLETA de la llama,

sensor ULTRAVIOLETA de la llama 0.25mm2,

sensor de la detección de la luz UV de 370 nanómetro

Contacto
ShenzhenYijiajie Electronic Co., Ltd.

Persona de Contacto: Xu

Teléfono: 86+13352990255

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