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S12060-02 Fotodiodo de avalancha de silicio Senspr Tipo de APD de coeficiente de baja temperatura para banda de 800 Nm

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S12060-02 Fotodiodo de avalancha de silicio Senspr Tipo de APD de coeficiente de baja temperatura para banda de 800 Nm

S12060-02 Fotodiodo de avalancha de silicio Senspr Tipo de APD de coeficiente de baja temperatura para banda de 800 Nm
S12060-02 Fotodiodo de avalancha de silicio Senspr Tipo de APD de coeficiente de baja temperatura para banda de 800 Nm S12060-02 Fotodiodo de avalancha de silicio Senspr Tipo de APD de coeficiente de baja temperatura para banda de 800 Nm S12060-02 Fotodiodo de avalancha de silicio Senspr Tipo de APD de coeficiente de baja temperatura para banda de 800 Nm

Ampliación de imagen :  S12060-02 Fotodiodo de avalancha de silicio Senspr Tipo de APD de coeficiente de baja temperatura para banda de 800 Nm

Datos del producto:
Lugar de origen: China
Nombre de la marca: Hamamatsu
Número de modelo: S12060-02
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: 1
Precio: Negociable
Detalles de empaquetado: Embalaje estándar
Tiempo de entrega: 5-8workingdays
Condiciones de pago: LC, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente: 1000 unidades por mes
Contacto

S12060-02 Fotodiodo de avalancha de silicio Senspr Tipo de APD de coeficiente de baja temperatura para banda de 800 Nm

descripción
El tipo: En el infrarrojo cercano (coeficiente de baja temperatura) Superficie receptor de luz: φ0,2 mm
Paquete: el metal Categoría del paquete: TO-18
Resaltar:

Diodo de avalancha S12060-02

,

diodo de avalancha de coeficiente

,

diodo de avalancha de baja temperatura

S12060-02 Fotodiodo de avalancha de silicio Senspr Tipo de APD de coeficiente de baja temperatura para banda de 800 Nm

 

Características:

Coeficiente de temperatura del voltaje de ruptura:
0.4 V/°C
Respuesta de alta velocidad
Alta sensibilidad y bajo ruido

 

Aplicaciones:

Máquinas y aparatos para la fabricación de máquinas de la partida 8521
FSO
Comunicaciones de fibra óptica

 

Hoja de datos:

longitud de onda de sensibilidad máxima (típica) 800 nm
Rango de longitudes de onda de sensibilidad de 400 a 1000 nm
Fotosensibilidad (típica) 0.5 A/W
Corriente oscura (máxima) 0.5 nA
Frecuencia de corte (típica) 1 000 MHz
Capacidad de unión (típica) 1.5 pF
Tensión de ruptura (típica) Las demás:
Coeficiente de temperatura del voltaje de ruptura (típico) 0.4 V/°C
Ratio de ganancia (valor típico) 100

 

S12060-02 Fotodiodo de avalancha de silicio Senspr Tipo de APD de coeficiente de baja temperatura para banda de 800 Nm 0

 

etiqueta:

Persianas solares del sensor ULTRAVIOLETA de la llama,

sensor ULTRAVIOLETA de la llama 0.25mm2,

sensor de la detección de la luz UV de 370 nanómetro

Contacto
ShenzhenYijiajie Electronic Co., Ltd.

Persona de Contacto: Xu

Teléfono: 86+13352990255

Envíe su pregunta directamente a nosotros (0 / 3000)

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