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Datos del producto:
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| El tipo: | Tipo del infrarrojo cercano | Área fotosensible: | φ1 mm |
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| Paquete: | El metal | Categoría del paquete: | TO-18 |
| longitud de onda de sensibilidad máxima (típica): | Las demás medidas | Rango de respuesta espectral: | Entre 400 y 1000 Nm |
| Resaltar: | S12060 a 10,S12060-10 Fotodiodo de Si,Fotodiodo de Si muy sensible |
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S12060-10 Fotodiodo de avalancha de silicio coeficiente de baja temperatura
Se trata de un APD de Si de banda cercana al infrarrojo de 800 nm que puede operar de manera estable en un amplio rango de temperaturas, adecuado para aplicaciones como telémetros ópticos y FSO (óptica del espacio libre).
Características
- Coeficiente de temperatura de tensión de ruptura: 0,4 V/°C
- Respuesta de alta velocidad
- Alta sensibilidad, bajo ruido
| Sensibilidad (típica) | 0.5 A/W |
| Corriente oscura (máxima) | 2 nA |
| Frecuencia de corte (típica) | 600 MHz |
| Capacidad terminal (típica) | 6 pF |
| Tensión de ruptura (típica) | Las demás: |
| Coeficiente de temperatura del voltaje de ruptura (típico) | 0.4 V/°C |
| Ganancia (típica) | 100 |
Persona de Contacto: Xu
Teléfono: 86+13352990255
