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Datos del producto:
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| Chip Size: | 4 mm2 | Paquete: | SMD 5050 |
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| Características: | Alta ventana del cuarzo transparente, alta sensibilidad, corriente oscura baja | Longitud de onda de la respuesta: | 210-370 nanómetro |
| Uso típico: | Detección del contaminante del gas | ||
| Resaltar: | Detección ULTRAVIOLETA del gas del sensor del fotodiodo,sensor ULTRAVIOLETA del fotodiodo 4mm2,Diodo ULTRAVIOLETA de la foto |
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Descripción de producto:
GS-ABC-5050XLQ GaN-basó el fotodiodo ULTRAVIOLETA
Características:
l fotodiodo de UVA+UVB+UVC
l operación fotovoltaica del modo
l paquete de cerámica de SMD 5050 con la ventana del cuarzo
l buena ceguera visible
l alto responsivity y corriente oscura baja
Usos: Supervisión ULTRAVIOLETA del índice, medida ULTRAVIOLETA de la dosis de radiación, especificaciones de la detección de la llama: Grados máximos de la unidad del valor del símbolo de los parámetros
Gama de temperaturas Topt -25-85 Oc de la operación
Gama de temperaturas Tsto -40-85 Oc de almacenamiento
Temperatura que suelda (3 s) Tsol 260 Oc
Voltaje reverso -10 V Vr-máximo
Actual oscuro general mm2 del tamaño A 4 del microprocesador de las características (25 Oc) (Vr = V) identificación -1
<1 nA="" Temperature="" coefficient="">
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Especificaciones:
| Longitud de onda del responsivisity máximo | λ p 355 nanómetro |
| Responsivisity máximo (en 385 nanómetro) | Rmax 0,20 A/W |
| Gama de la respuesta espectral (R=0.1×Rmax) | 210-370 nanómetro |
| ratio de rechazo Ultravioleta-visible (Rmax/R450 nanómetro) | - >10 - |
Persona de Contacto: Xu
Teléfono: 86+13352990255
