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GS-ABC-5050XLQ Fotodiodo UV basado en GaN, Operación en Modo Fotovoltaico

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Certificación
CHINA ShenzhenYijiajie Electronic Co., Ltd. certificaciones
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GS-ABC-5050XLQ Fotodiodo UV basado en GaN, Operación en Modo Fotovoltaico

GS-ABC-5050XLQ Fotodiodo UV basado en GaN, Operación en Modo Fotovoltaico
GS-ABC-5050XLQ Fotodiodo UV basado en GaN, Operación en Modo Fotovoltaico

Ampliación de imagen :  GS-ABC-5050XLQ Fotodiodo UV basado en GaN, Operación en Modo Fotovoltaico

Datos del producto:
Lugar de origen: Porcelana
Nombre de la marca: GaNo
Número de modelo: GS-ABC-5050XLQ
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: 1
Precio: Negociable
Detalles de empaquetado: El rollo
Tiempo de entrega: 3-5 trabajos de día
Condiciones de pago: L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente: 10000PCS/mes
Contacto

GS-ABC-5050XLQ Fotodiodo UV basado en GaN, Operación en Modo Fotovoltaico

descripción
Tamaño de chip: 4 mm2 Paquete: SMD 5050
Características: Ventana de cuarzo transparente, alta sensibilidad, baja corriente oscura Longitud de onda de la respuesta: 210 a 370 nm
Resaltar:

Detección ULTRAVIOLETA del gas del sensor del fotodiodo

,

sensor ULTRAVIOLETA del fotodiodo 4mm2

,

Diodo ULTRAVIOLETA de la foto

Descripción del producto:

GS-ABC-5050XLQ Fotodiodo UV basado en GaN, Modo de operación fotovoltaico

 

Características:

l Fotodiodo UVA+UVB+UVC

l Operación en modo fotovoltaico

l Paquete cerámico SMD 5050 con ventana de cuarzo

l Buena ceguera visible

l Alta responsividad y baja corriente oscura

 

Aplicaciones:Monitoreo del índice UV, medición de la dosis de radiación UV, detección de llama Especificaciones: Parámetros Símbolo Valor Unidad Clasificaciones máximas

Rango de temperatura de operación Topt -25-85 oC

Rango de temperatura de almacenamiento Tsto -40-85 oC

Temperatura de soldadura (3 s) Tsol 260 oC

Voltaje inverso Vr-max -10 V

Características generales (25 oC) Tamaño del chip A 4 mm2 Corriente oscura (Vr = -1 V) Id

<1 nA Temperature coefficient (@265 nm) Tc 0.05 %>

<1 nA Temperature coefficient (@265 nm) Tc 0.05 %>

 

Especificaciones:

Longitud de onda de responsividad máxima λ p 355 nm
Responsividad máxima (a 385 nm) Rmax 0.20 A/W
Rango de respuesta espectral (R=0.1×Rmax) 210-370 nm
Relación de rechazo UV-visible (Rmax/R450 nm) - >10 -

 

GS-ABC-5050XLQ Fotodiodo UV basado en GaN, Operación en Modo Fotovoltaico 0

 

etiqueta:

Persianas solares del sensor ULTRAVIOLETA de la llama,

sensor ULTRAVIOLETA de la llama 0.25mm2,

sensor de la detección de la luz UV de 370 nanómetro

Contacto
ShenzhenYijiajie Electronic Co., Ltd.

Persona de Contacto: Xu

Teléfono: 86+13352990255

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