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G12180-003A Sensor fotoeléctrico infrarrojo (fotodiodo PIN InGaAs) para sistemas de vigilancia láser

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CHINA ShenzhenYijiajie Electronic Co., Ltd. certificaciones
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G12180-003A Sensor fotoeléctrico infrarrojo (fotodiodo PIN InGaAs) para sistemas de vigilancia láser

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G12180-003A Sensor fotoeléctrico infrarrojo (fotodiodo PIN InGaAs) para sistemas de vigilancia láser

Ampliación de imagen :  G12180-003A Sensor fotoeléctrico infrarrojo (fotodiodo PIN InGaAs) para sistemas de vigilancia láser

Datos del producto:
Lugar de origen: Japón
Número de modelo: G12180-003A
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: 1 por ciento
Precio: Negociable
Detalles de empaquetado: Embalaje estándar
Tiempo de entrega: 5-8 días de trabajo
Condiciones de pago: L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, Moneygram
Capacidad de la fuente: 5000pcs

G12180-003A Sensor fotoeléctrico infrarrojo (fotodiodo PIN InGaAs) para sistemas de vigilancia láser

descripción
Tipo de paquete: A - 18 Área fotosensible: φ0,3 mm
Rango de respuesta espectral: 0de 0,9 a 1,7 μm Longitud de onda de sensibilidad máxima (típ.): 1.55 μm
Fotosensibilidad (típica): 1.1 A/W Corte - Frecuencia apagada (típ.): 600 MHz
Resaltar:

Sensores fotoeléctricos de infrarrojos para el monitoreo con láser

,

Sensor de fotodiodo PIN de InGaAs

,

Sensor fotoeléctrico del sistema de vigilancia por láser

 

 

G12180-003A Sensor fotoeléctrico infrarrojo (fotodiodo PIN InGaAs) para sistemas de vigilancia láser

 

1Áreas de aplicación:

  • Sistemas de monitoreo de láser: permite la detección y monitoreo en tiempo real de la intensidad de salida del láser en el procesamiento de láser industrial, equipos láser médicos y configuraciones de láser de grado de investigación.garantizar un rendimiento del láser estable.
  • Medidores de potencia óptica: sirve como componente de detección central en dispositivos de medición de potencia óptica,Captura precisa de señales de potencia óptica del infrarrojo cercano (NIR) para aplicaciones como pruebas de fibra óptica y fotometría de laboratorio.
  • Prueba del ciclo de vida del diodo láser: Resiste el funcionamiento a largo plazo y mantiene una respuesta constante.que lo hace adecuado para evaluar la durabilidad y la degradación del rendimiento de los diodos láser durante su vida útil.
  • Fotometría del infrarrojo cercano (NIR): facilita la medición precisa de la absorción, transmisión o reflexión de la luz NIR en campos como el análisis bioquímico, la ciencia de materiales,y el seguimiento ambiental.
  • Sistemas de comunicación óptica: Detecta señales ópticas NIR de alta velocidad (por ejemplo, en bandas de longitud de onda de 1,3 μm o 1,55 μm) para su uso en transceptores de comunicación de fibra óptica.garantizar una transmisión fiable de datos en las redes de telecomunicaciones.

2Características clave:

  • Respuesta espectral NIR amplia: opera a través de un rango de longitud de onda de 0,9 ∼1,7 μm, cubriendo bandas críticas para comunicaciones ópticas, aplicaciones láser y fotometría NIR.
  • Alta sensibilidad: ofrece una fotosensibilidad típica de 1.1 A / W (en la longitud de onda máxima ~ 1.55 μm), lo que permite la detección precisa de señales ópticas NIR de baja intensidad.
  • Corriente oscura baja: presenta una corriente oscura máxima de 0,5 nA (bajo voltaje inverso VR = 5V), minimizando el ruido de fondo y mejorando la relación señal-ruido (SNR) para mediciones precisas.
  • Rendimiento de alta velocidad: Cuenta con una frecuencia de corte típica de 600 MHz, que admite la detección de señales de alta velocidad para aplicaciones como comunicación óptica rápida o monitoreo de pulsos láser.
  • Paquete compacto y robusto: se encuentra en un paquete TO-18 (un paquete de metal compacto estándar), que garantiza la estabilidad mecánica, la fácil integración en los diseños de circuitos,y compatibilidad con las configuraciones de montaje óptico estándar.
  • Amplio rango de temperatura de funcionamiento: Funciona de manera confiable en temperaturas de -40 °C a 100 °C, por lo que es adecuado para ambientes industriales ásperos o aplicaciones al aire libre.
  • Capacidad de unión baja: Tiene una capacidad de unión típica de 5 pF (VR = 5V), reduciendo la distorsión de la señal y mejorando el rendimiento de alta frecuencia.
Tipo de sensor Fotodiodo PIN de InGaAs -
Tipo de paquete TO-18 (en inglés) -
Modo de funcionamiento Las demás: -
Diámetro del área fotosensible φ0,3 mm -
Número de elementos 1 -
Método de enfriamiento Sin enfriar -
Rango de respuesta espectral 0.9 1.7 μm -
Duración de onda de sensibilidad máxima ~ 1,55 μm -
Fotosensibilidad Tipo 1.1 A/W Se aplicará el método de ensayo siguiente:
Corriente oscura Máximo 0,5 nA V = 5V, Ta = 25°C, sin luz
Frecuencia de corte (-3dB) Tipo 600 MHz V = 5V, Rl = 50Ω, λ = 1,3 μm
Capacidad de las uniones Tipo 5 pF V = 5V, f = 1 MHz
Potencia equivalente al ruido (NEP) Tipo 4.2×10−15 W/Hz1/2 Se aplicará el método de medición de la presión en el caso de los motores de combustión interna.
Detectividad (D*) Tipo 6.3×1012 cm·Hz1/2/W Se aplicará el método de medición de la presión en el caso de los motores de combustión interna.
Resistencia a la derivación 200 1000 MΩ V = 0V, Ta = 25°C, sin luz
La tensión máxima inversa (Vrmax) 20 V Ta = 25°C
Material de las ventanas Vidrio de borosilicato -
Rango de temperatura de funcionamiento -40 °C 100 °C -
Rango de temperatura de almacenamiento -55 °C 125 °C -
Coeficiente de sensibilidad a la temperatura 10,09 veces/°C  

 

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Contacto
ShenzhenYijiajie Electronic Co., Ltd.

Persona de Contacto: Miss. Xu

Teléfono: 86+13352990255

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