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Datos del producto:
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| Lado receptor de luz: | 5.8 × 5,8 mm | Encapsulación: | Cerámica |
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| Refrigeración: | No refrigerados | Válvula de reversión (máximo): | 5 V |
| Rango de respuesta espectral: | De 190 a 1000 Nm | Sensibilidad a la luz (típica): | 0.36 A/W |
| Resaltar: | S1227-66BQ Fotodiodos de silicio,Fotodiodos de silicio con sensibilidad IR suprimida,S1227-66BR Fotodiodos de silicio |
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Los fotodiodos de silicio S1227-66BQ
Características
- Alta sensibilidad a los rayos UV (tipo de ventana de cuarzo): QE = 75 % (λ = 200 nm)
- Represión de la sensibilidad IR
- Baja corriente oscura.
| Potencia equivalente de ruido (típica) | 5.0 × 10-15 años.W/Hz1/2 |
| Capacidad de unión (típica) | 950 pF |
| Tiempo de elevación (típico) | 2 μs |
| Corriente oscura (máximo) | 20 pA |
| Sensibilidad a la luz (típica) | 0.36 A/W |
Los fotodiodos de silicio S1227-66BR
Es adecuado para la fotometría precisa en la banda de longitud de onda ultravioleta a visible; suprime la sensibilidad infrarroja
Características
- Envases de resina
Tipo - Suprimción de la sensibilidad al infrarrojo
- Baja corriente oscura.
| Lado receptor de luz | 5.8 × 5,8 mm |
| Encapsulación | Cerámica |
| refrigeración | Sin enfriar |
| Válvula de reversión (máximo) | 5 V |
| Rango de respuesta espectral | De 340 a 1000 nm |
| Duración de onda de sensibilidad máxima (típica) | 720 nm |
Persona de Contacto: Miss. Xu
Teléfono: 86+13352990255
