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Datos del producto:
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| Receiving surface: | 3.6 × 3.6 mm | Package: | Metal |
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| Package category: | TO-5 | Reverse voltage (Max.): | 5V |
| Resaltar: | Fotodiodo de silicio ultravioleta,Fotometría de precisión Fotodiodo de silicio,Fotodiodo de silicio de alta sensibilidad UV |
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Descripción del producto:
S1226-44BQ Fotodiodo de silicio de alta sensibilidad a los rayos UV es adecuado para la fotometría de precisión desde ultravioleta hasta luz visible
Características:
Adecuado para la fotometría de precisión en longitudes de onda ultravioleta a visible; suprime la sensibilidad al infrarrojo cercano
Peculiaridad
- Alta sensibilidad a los rayos UV: QE = 75% (λ = 200 nm)
- Suprimir la sensibilidad al infrarrojo cercano
- Baja corriente oscura.
- Alta confiabilidad
Superficie receptora de 3,6 × 3,6 mm
De metal encapsulado
Categoría de paquete TO-5
Tipo de refrigeración sin enfriamiento
Válvulas de reversión (máx.) 5 V
Rango de respuesta espectral de 190 a 1000 nm
longitud de onda de sensibilidad máxima (valor típico) 720 nm
Fotosensibilidad (valor típico) 0,36A/W
Corriente oscura (máximo) 10 pA
Tiempo de aumento (valor típico) 1 μs
Capacidad de unión (valor típico) 500 pF
Potencia equivalente de ruido (valor típico) 3,6 × 10-15 W/Hz1/2
Condiciones de medición Ta = 25°C, valor típico, sensibilidad: λ = 720 nm, corriente oscura: VR = 10 mV, capacidad de unión: VR = 0 V, f = 10 kHz, salvo indicación en contrario
Especificaciones:
| Rango de respuesta espectral | de 190 a 1000 nm |
| longitud de onda de sensibilidad máxima | 720 nm |
| Fotosensibilidad (valor típico) | 0.36A /W |
| Corriente oscura (máximo) | 2 pA |
Persona de Contacto: Miss. Xu
Teléfono: 86+13352990255
