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Datos del producto:
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| Receiving surface: | 18 × 18 mm | Reverse voltage (Max.): | 5 V |
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| Sensitivity (typical value): | 0.52 A/W | Dark current (Max.): | 500 pA |
| Resaltar: | Fotodiodo de silicio UV,Fotodiodo de silicio infrarrojo,Fotometría de precisión Fotodiodo de silicio |
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Descripción del producto:
S1337-21 El fotodiodo de silicio es adecuado para la fotometría de precisión en bandas ultravioleta a infrarroja
Características:
Superficie receptor 18 × 18 mm
Cerámica encapsulada
Categoría del paquete no sellada
Categoría del paquete no sellada
Tipo de refrigeración sin enfriamiento
Válvulas de reversión (máx.) 5 V
Rango de respuesta espectral de 190 a 1100 nm
longitud de onda de sensibilidad máxima (valor típico) 960 nm
Sensibilidad (valor típico) 0,52 A/W
Corriente oscura (máximo) 500 pA
Tiempo de aumento (valor típico) 8 μs
Capacidad de unión (típica) 4000 pF
Potencia equivalente de ruido (valor típico) 2,5 × 10-14 W/Hz1/2
Valores típicos de las condiciones de medición Ta=25°C, fotosensibilidad: λ = 960 nm, corriente oscura: VR = 10 mV, capacidad de unión: VR = 0 V, f = 10 kHz, salvo indicación en contrario
Especificaciones:
| Rango de respuesta espectral | de 190 a 1100 nm |
| longitud de onda de sensibilidad máxima (valor típico) | 960 nm |
| Fotosensibilidad (valor típico) | 0.52A /W |
| Corriente oscura (máximo) | 500 pA |
Persona de Contacto: Miss. Xu
Teléfono: 86+13352990255
