Determinación fotométrica de precisión del fotodiodo de silicio de baja capacidad en bandas UV a NIR

Descripción del producto:

S1336-8BQ Es adecuado para la determinación fotométrica de precisión del fotodiodo de silicio de baja capacidad en bandas ultravioleta a infrarroja cercana

Características:

Apto para fotometría precisa en bandas ultravioleta e infrarroja cercana

Peculiaridad

- Alta sensibilidad en la banda UV

- Baja capacidad

- Alta confiabilidad

Superficie receptora 5,8 × 5,8 mm

De metal encapsulado

Categoría de paquete TO-8

Tipo de refrigeración sin enfriamiento

Válvulas de reversión (máx.) 5 V

Rango de respuesta espectral de 190 a 1100 nm

longitud de onda de sensibilidad máxima (valor típico) 960 nm

La sensibilidad a la luz (valor típico) 0,5 A/W

Corriente oscura (máximo) 20 pA

Tiempo de elevación (valor típico) 0,1 μs

Capacidad de unión (típica) 20 pF

Potencia equivalente de ruido (valor típico) 5,7×10-15 W/Hz1/2

Condiciones de medición Valor típico Ta = 25°C, a menos que se indique lo contrario

Sensitividad: λ = 960 nm, corriente oscura: VR = 10 mV, capacidad de unión: VR = 0 V, f = 10 kHz

Especificaciones: