|
Datos del producto:
|
| Receiving surface: | 5.8 × 5.8 mm | Reverse voltage (Max.): | 5V |
|---|---|---|---|
| Photosensitivity (typical value): | 0.62 A/W | Dark current (Max.): | 100 pA |
| Resaltar: | Fotometría de precisión Fotodiodo de silicio |
||
Descripción del producto:
S1337-66BR El fotodiodo de silicio es adecuado para la fotometría de precisión en bandas ultravioleta a infrarroja
Características:
Apto para fotometría precisa en bandas ultravioleta e infrarroja
Superficie receptor 5,8 × 5,8 mm
Cerámica encapsulada
Categoría del paquete:
Tipo de refrigeración sin enfriamiento
Válvulas de reversión (máx.) 5 V
Rango de respuesta espectral de 340 a 1100 nm
longitud de onda de sensibilidad máxima (valor típico) 960 nm
Fotosensibilidad (valor típico) 0,62 A/W
Corriente oscura (máximo) 100 pA
Tiempo de aumento (valor típico) 1 μs
Capacidad de unión (típica) 380 pF
Potencia equivalente de ruido (valor típico) 1,0 × 10-14 W/Hz1/2
Valores típicos de las condiciones de medición Ta=25°C, fotosensibilidad: λ = 960 nm, corriente oscura: VR = 10 mV, capacidad de unión: VR = 0 V, f = 10 kHz, salvo indicación en contrario
Especificaciones:
| Rango de respuesta espectral | de 340 a 1100 nm |
| longitud de onda de sensibilidad máxima (valor típico) | 960 nm |
| Fotosensibilidad (valor típico) | 0.5A /W |
| Corriente oscura (máximo) | 100 pA |
Persona de Contacto: Miss. Xu
Teléfono: 86+13352990255
