YJJ S1337-66BQ El fotodiodo de silicio es adecuado para la fotometría de precisión en bandas ultravioleta a infrarroja

Descripción del producto:

S1337-66BQ El fotodiodo de silicio es adecuado para fotometría de precisión en bandas ultravioleta a infrarroja

Características:

Apto para fotometría precisa en bandas ultravioleta e infrarroja

Peculiaridad

- Alta sensibilidad a los rayos UV: QE 75% (λ=200 nm)

- Baja capacidad

Superficie receptor 5,8 × 5,8 mm

Cerámica encapsulada

Categoría del paquete:

Tipo de refrigeración sin enfriamiento

Válvulas de reversión (máx.) 5 V

Rango de respuesta espectral de 190 a 1100 nm

longitud de onda de sensibilidad máxima (valor típico) 960 nm

La sensibilidad a la luz (valor típico) 0,5 A/W

Corriente oscura (máximo) 100 pA

Tiempo de aumento (valor típico) 1 μs

Capacidad de unión (típica) 380 pF

Potencia equivalente de ruido (valor típico) 1,3 × 10-14 W/Hz1/2

Valores típicos de las condiciones de medición Ta=25°C, fotosensibilidad: λ = 960 nm, corriente oscura: VR = 10 mV, capacidad de unión: VR = 0 V, f = 10 kHz, salvo indicación en contrario

Especificaciones: