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Datos del producto:
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| Fotosensibilidad (valor típico): | 0.45A /W | Corriente oscura (máximo): | PA 200 |
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| Frecuencia de corte (valor típico): | 20 MHz | Capacidad de unión (típica): | 25 PF |
| Resaltar: | Diodo fotodiodo de silicio infrarrojo,Diodo fotodiódico de silicio de uso general |
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Descripción del producto:
S2387-66R El fotodiodo de silicio es adecuado para fotómetros de uso general en la banda visible a infrarroja
Características:
Fotodiodo PIN de silicio de cuatro píxeles
El S2387-66R es un fotodiodo PIN de silicio de cuatro píxeles con sensibilidad en el espectro ultravioleta al infrarrojo cercano.por ejemplo, para la alineación del haz láser.
Peculiaridad
- Formato de cuatro (2 × 2) píxeles
- Bajo ruido cruzado: máximo 2%
- Amplio rango de respuesta espectral: 190 a 1000 nm
- Respuesta de alta velocidad: fc = 20 MHz
- Un paquete de metal TO-5
El número de píxeles es de 4 segmentos
De metal encapsulado
Categoría de paquete TO-5
Tipo de refrigeración sin enfriamiento
Rango de longitud de onda de sensibilidad de 190 a 1000 nm
longitud de onda de sensibilidad máxima (valor típico) 720 nm
Fotosensibilidad (valor típico) 0,45 A/W
Corriente oscura (máximo) 200 pA
Frecuencia límite (valor típico) 20 MHz
Capacidad de unión (típica) 25 pF
Condiciones de medición Valor típico Ta = 25°C, a menos que se indique lo contrario
Para cada píxel (excepto la superficie receptora de luz), sensibilidad: λ = λp, corriente oscura: VR = 5V, frecuencia de corte: VR = 5V, capacidad de unión: VR = 5V, f = 1MHz
Especificaciones:
| Fotosensibilidad (valor típico) | 0.45A/W |
| Corriente oscura (máximo) | 200 pA |
| Tiempo de subida (valor típico) | 2 μs |
| Capacidad de unión (valor típico) | 25 pF |
Persona de Contacto: Miss. Xu
Teléfono: 86+13352990255
