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G8370-81 InGaAs PIN Fotodiodo Baja PDL Pérdida de dependencia de la polarización

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Certificación
CHINA ShenzhenYijiajie Electronic Co., Ltd. certificaciones
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G8370-81 InGaAs PIN Fotodiodo Baja PDL Pérdida de dependencia de la polarización

G8370-81 InGaAs PIN Fotodiodo Baja PDL Pérdida de dependencia de la polarización
G8370-81 InGaAs PIN Fotodiodo Baja PDL Pérdida de dependencia de la polarización G8370-81 InGaAs PIN Fotodiodo Baja PDL Pérdida de dependencia de la polarización

Ampliación de imagen :  G8370-81 InGaAs PIN Fotodiodo Baja PDL Pérdida de dependencia de la polarización

Datos del producto:
Lugar de origen: Japón
Nombre de la marca: Hamamatsu
Número de modelo: G8370-81
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: 1
Precio: Negociable
Detalles de empaquetado: En una caja
Tiempo de entrega: días 3-5work
Condiciones de pago: L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente: 2000 PCS/MES
Contacto

G8370-81 InGaAs PIN Fotodiodo Baja PDL Pérdida de dependencia de la polarización

descripción
el área fotosensible es: φ1,0 mm Número de píxeles: 1
Encapsulado: El metal el tipo de encapsulación es: TO-18
Modo de refrigeración: No refrigerados el rango de respuesta espectral es: 0de 0,9 a 1,7 μm
Resaltar:

Sensor fotoeléctrico infrarrojo G8370-81

,

Sensor fotoeléctrico infrarrojo PDL bajo

,

Fotodiodo del PIN de InGaAs

Descripción del producto:

G8370-81 InGaAs PIN Fotodiodo Baja PDL Pérdida de dependencia de la polarización

 

Características:

PDL baja (pérdida dependiente de la polarización)

El fotodiodo InGaAs PIN G8370-81 tiene una baja PDL (pérdida dependiente de la polarización), una gran resistencia a la mierda y un ruido muy bajo a 1.55¿Qué es eso?

Características del producto

PDL baja (pérdida dependiente de la polarización)

● Bajo ruido, baja corriente oscura

● Gran área fotográfica

● Área sensible a la luz:φ1 mm

Potencia equivalente de ruido (valor típico) 2Se aplicarán las siguientes medidas:

Condiciones de medición TYP.TA =25°C, fotosensibilidad: λ=λp, corriente oscura: VR=1 V, frecuencia de corte:V = 1 V, RL = 50ω, -3 dB, capacidad terminal: VR=1 V, F=1 MHz, salvo indicación en contrario

 

Especificaciones:

la longitud de onda de sensibilidad máxima (valor típico) fue 1.55 μm
Sensibilidad (valor típico) 1.1 A/W
Corriente oscura (máxima) 5 nA
Frecuencia de corte (valor típico) 35 MHz
Capacidad de unión (valor típico) 90 pF
Potencia equivalente de ruido (valor típico) 2 × 10-14 W/hz1/2

G8370-81 InGaAs PIN Fotodiodo Baja PDL Pérdida de dependencia de la polarización 0

etiqueta:

Sensor fotoeléctrico infrarrojo R9533,

Sensor del color del RGB,

Sensor de la llama de UVTRON

Contacto
ShenzhenYijiajie Electronic Co., Ltd.

Persona de Contacto: Xu

Teléfono: 86+13352990255

Envíe su pregunta directamente a nosotros (0 / 3000)

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