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Datos del producto:
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| el área fotosensible es: | φ1,0 mm | Número de píxeles: | 1 |
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| Encapsulado: | El metal | el tipo de encapsulación es: | TO-18 |
| Modo de refrigeración: | No refrigerados | el rango de respuesta espectral es: | 0de 0,9 a 1,7 μm |
| Resaltar: | Sensor fotoeléctrico infrarrojo G8370-81,Sensor fotoeléctrico infrarrojo PDL bajo,Fotodiodo del PIN de InGaAs |
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Descripción del producto:
G8370-81 InGaAs PIN Fotodiodo Baja PDL Pérdida de dependencia de la polarización
Características:
PDL baja (pérdida dependiente de la polarización)
El fotodiodo InGaAs PIN G8370-81 tiene una baja PDL (pérdida dependiente de la polarización), una gran resistencia a la mierda y un ruido muy bajo a 1.55¿Qué es eso?
Características del producto
PDL baja (pérdida dependiente de la polarización)
● Bajo ruido, baja corriente oscura
● Gran área fotográfica
● Área sensible a la luz:φ1 mm
Potencia equivalente de ruido (valor típico) 2Se aplicarán las siguientes medidas:
Condiciones de medición TYP.TA =25°C, fotosensibilidad: λ=λp, corriente oscura: VR=1 V, frecuencia de corte:V = 1 V, RL = 50ω, -3 dB, capacidad terminal: VR=1 V, F=1 MHz, salvo indicación en contrario
Especificaciones:
| la longitud de onda de sensibilidad máxima (valor típico) fue | 1.55 μm |
| Sensibilidad (valor típico) | 1.1 A/W |
| Corriente oscura (máxima) | 5 nA |
| Frecuencia de corte (valor típico) | 35 MHz |
| Capacidad de unión (valor típico) | 90 pF |
| Potencia equivalente de ruido (valor típico) | 2 × 10-14 W/hz1/2 |
Persona de Contacto: Xu
Teléfono: 86+13352990255
