Fotodiodo de silicio S2387-66R para corriente oscura baja visible a IR para equipos analíticos

Descripción del producto:

S2387-66R Fotodiodo de silicio para corrientes oscuras de baja intensidad IR visibles para equipos analíticos

Características:

Fotodiodo de silicio PIN de gran superficie y alta velocidad

El S2387-66R tiene un gran área fotosensible, pero tiene una excelente respuesta de frecuencia a 40 MHz.

Características del producto

Área fotosensible: φ5,0 mm

La frecuencia de corte: 40 MHz (VR=24 V)

Alta fiabilidad: paquete de metal TO-8

Condiciones de medición Ta=25 °C, Tipo, fotosensibilidad: λ=780 nm, corriente oscura: VR=24 V, frecuencia de corte: VR=24 V, capacidad terminal: VR=24 V, F=1 MHz, λ=λp, potencia equivalente de ruido: VR=24 V,Se trata de una, salvo que se indique lo contrario

Especificaciones: