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Datos del producto:
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| Pulso: | 340-1100 | LED de la brecha 560 nm: | 0,33 |
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| Tipo de: | 50 | Tiempos: | 1.12 |
| Resaltar: | S2387-66R,Sensor fotoeléctrico del IR,Sensor de la llama de UVTRON |
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Descripción del producto:
S2387-66R Fotodiodo de silicio para fotometría universal de corriente oscura baja visible a infrarroja
Características:
Fotodiodo de silicio PIN de gran superficie y alta velocidad
El S2387-66R tiene un gran área fotosensible, pero tiene una excelente respuesta de frecuencia a 40 MHz.
Características del producto
Área fotosensible: φ5,0 mm
La frecuencia de corte: 40 MHz (VR=24 V)
Alta fiabilidad: paquete de metal TO-8
Condiciones de medición Ta=25 °C, Tipo, fotosensibilidad: λ=780 nm, corriente oscura: VR=24 V, frecuencia de corte: VR=24 V, capacidad terminal: VR=24 V, F=1 MHz, λ=λp, potencia equivalente de ruido: VR=24 V,Se trata de una, salvo que se indique lo contrario
Especificaciones:
| longitud de onda de sensibilidad máxima (valor típico) | 920 nm |
| Sensibilidad (valor típico) | 0.58 A/W |
| Corriente oscura (máxima) | Las demás: |
| Tiempo de subida (valor típico) | 18 mu s |
| Capacidad de unión (valor típico) |
40 pF
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Persona de Contacto: Xu
Teléfono: 86+13352990255
