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Fotodetector infrarrojo del silicio de S1337-66BQ en ultravioleta a la banda infrarroja

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Fotodetector infrarrojo del silicio de S1337-66BQ en ultravioleta a la banda infrarroja

Fotodetector infrarrojo del silicio de S1337-66BQ en ultravioleta a la banda infrarroja
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Ampliación de imagen :  Fotodetector infrarrojo del silicio de S1337-66BQ en ultravioleta a la banda infrarroja

Datos del producto:
Lugar de origen: Japón
Nombre de la marca: Hamamatsu
Número de modelo: S1337-66BQ
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: 1
Detalles de empaquetado: Tubos de
Tiempo de entrega: días 3-5work
Condiciones de pago: L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente: 311/pcs/pre

Fotodetector infrarrojo del silicio de S1337-66BQ en ultravioleta a la banda infrarroja

descripción
el área fotográfica es: 5,8 × 5.8m m Número de pixeles: 1
Refrigeración y: No- refrescada Encapsulado: De cerámica
Voltaje reverso (máximo): 5V la gama de la respuesta espectral es: 190 a 1100 nanómetro
Resaltar:

S1337-66BQ

,

Fotodetector infrarrojo del silicio

Descripción de producto:

El fotodiodo infrarrojo del silicio de S1337-66BQ se utiliza para la determinación fotométrica exacta en ultravioleta a la banda infrarroja

Características:

Conveniente para la determinación fotométrica exacta del ultravioleta a la banda infrarroja

Alta sensibilidad ULTRAVIOLETA: QE el = 75% (λ=200 nanómetro)

Capacitancia baja

Condiciones de la medida: Ta=25 ℃, tipo., a menos que se indicare en forma diferente, fotosensibilidad: λ=960 nanómetro, corriente oscura: VR=10 milivoltio, tiempo de subida: VR=0 V, capacitancia terminal: VR=0 V, f=10 kilociclo

Especificaciones:

Longitud de onda máxima de la sensibilidad (valor típico) 960 nanómetro
Sensibilidad (valor típico) 0,5 A/W
Actual oscuro (máximo) PA 100
Tiempo de subida (valor típico) 1 MU s
Capacitancia de empalme (valor típico)

380 PF

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Contacto
ShenzhenYijiajie Electronic Co., Ltd.

Persona de Contacto: Xu

Teléfono: 86+13352990255

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