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Datos del producto:
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el área fotográfica es: | 5,8 × 5.8m m | Número de pixeles: | 1 |
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Refrigeración y: | No- refrescada | Encapsulado: | De cerámica |
Voltaje reverso (máximo): | 5V | la gama de la respuesta espectral es: | 190 a 1100 nanómetro |
Resaltar: | S1337-66BQ,Fotodetector infrarrojo del silicio |
Descripción de producto:
El fotodiodo infrarrojo del silicio de S1337-66BQ se utiliza para la determinación fotométrica exacta en ultravioleta a la banda infrarroja
Características:
Conveniente para la determinación fotométrica exacta del ultravioleta a la banda infrarroja
Alta sensibilidad ULTRAVIOLETA: QE el = 75% (λ=200 nanómetro)
Capacitancia baja
Condiciones de la medida: Ta=25 ℃, tipo., a menos que se indicare en forma diferente, fotosensibilidad: λ=960 nanómetro, corriente oscura: VR=10 milivoltio, tiempo de subida: VR=0 V, capacitancia terminal: VR=0 V, f=10 kilociclo
Especificaciones:
Longitud de onda máxima de la sensibilidad (valor típico) | 960 nanómetro |
Sensibilidad (valor típico) | 0,5 A/W |
Actual oscuro (máximo) | PA 100 |
Tiempo de subida (valor típico) | 1 MU s |
Capacitancia de empalme (valor típico) |
380 PF
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Persona de Contacto: Xu
Teléfono: 86+13352990255