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S1336-44BQ Pin de fotodiodo de silicio Baja capacidad UV a NIR para fotometría de precisión

Certificación
CHINA ShenzhenYijiajie Electronic Co., Ltd. certificaciones
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S1336-44BQ Pin de fotodiodo de silicio Baja capacidad UV a NIR para fotometría de precisión

S1336-44BQ Pin de fotodiodo de silicio Baja capacidad UV a NIR para fotometría de precisión
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Datos del producto:
Lugar de origen: Japón
Nombre de la marca: Hamamatsu
Número de modelo: S1336-44BQ
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: 1
Precio: Negociable
Detalles de empaquetado: El tubo
Tiempo de entrega: días 3-5work
Condiciones de pago: L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente: 1000 piezas al mes

S1336-44BQ Pin de fotodiodo de silicio Baja capacidad UV a NIR para fotometría de precisión

descripción
Área sensible: 3.6 × 3.6 mm Número de píxeles: 1
Refrigerantes y: No refrigerados Encapsulación: El metal
Tipo de encapsulación: TO-5 Válvula de reversión (máxima): 5 V
Resaltar:

S1336-44BQ

,

Pin Avalanche Photodiode

Descripción del producto:

S1336-44BQ Pin de fotodiodo de silicio Baja capacidad UV a NIR para fotometría de precisión

Características:

Alta sensibilidad en la banda ultravioleta

Baja capacidad

Alta fiabilidad

Especificaciones:

El rango de respuesta espectral es de 190 a 1100 nm
longitud de onda de sensibilidad máxima (valor típico) 960 nm
Sensibilidad (valor típico) 0.5A/W
Corriente oscura (máximo) 50 pA
Tiempo de subida (valor típico) 0.5 mu s
Capacidad de unión (valor típico) 150 pF

Respuesta espectral:

S1336-44BQ Pin de fotodiodo de silicio Baja capacidad UV a NIR para fotometría de precisión 0

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Contacto
ShenzhenYijiajie Electronic Co., Ltd.

Persona de Contacto: Xu

Teléfono: 86+13352990255

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