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Inicio ProductosSensor fotoeléctrico infrarrojo

S1337-1010BQ Fotodiodo de silicio para fotometría de precisión de baja capacidad UV a IR

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Certificación
CHINA ShenzhenYijiajie Electronic Co., Ltd. certificaciones
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S1337-1010BQ Fotodiodo de silicio para fotometría de precisión de baja capacidad UV a IR

S1337-1010BQ Fotodiodo de silicio para fotometría de precisión de baja capacidad UV a IR
S1337-1010BQ Fotodiodo de silicio para fotometría de precisión de baja capacidad UV a IR S1337-1010BQ Fotodiodo de silicio para fotometría de precisión de baja capacidad UV a IR

Ampliación de imagen :  S1337-1010BQ Fotodiodo de silicio para fotometría de precisión de baja capacidad UV a IR

Datos del producto:
Lugar de origen: Japón
Nombre de la marca: Hamamatsu
Número de modelo: S1337-1010BQ
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: 1
Precio: Negociable
Detalles de empaquetado: Embalaje estándar
Tiempo de entrega: días 3-5work
Condiciones de pago: L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente: 1000 piezas al mes
Contacto

S1337-1010BQ Fotodiodo de silicio para fotometría de precisión de baja capacidad UV a IR

descripción
el área fotográfica es: 10 × 10 mm Número de píxeles: 1
Refrigerantes y: No refrigerados Encapsulado: Las demás
Válvulas de reversión (máx.): 5 V el rango de respuesta espectral es de 190 a 1100: Entre 190 y 1100 Nm
Resaltar:

S1337-1010BQ

,

Fotodiodo de la avalancha de la área extensa

Descripción del producto:

S1337-1010BQ Fotodiodo de silicio para fotometría de precisión de baja capacidad UV a IR

Características:

Apto para la determinación fotométrica precisa de la banda ultravioleta a la roja

Características del producto

Alta sensibilidad a los rayos UV: QE = 75% (λ=200 nm)

Baja capacidad

Condición de medición Ta=25°C, Tipo, salvo indicación en contrario, Fotosensibilidad: λ=960 nm, Corriente oscura: VR=10 mV, Tiempo de elevación:VR=0 V, capacidad del terminal: VR=0 V, f=10 kHz

Especificaciones:

longitud de onda de sensibilidad máxima (valor típico) 960 nm
Sensibilidad (valor típico) 0.5 A/W
Corriente oscura (máxima) 200 pA
Tiempo de subida (valor típico) 3 mu s
Capacidad de unión (valor típico)

El precio de venta

S1337-1010BQ Fotodiodo de silicio para fotometría de precisión de baja capacidad UV a IR 0

S1337-1010BQ Fotodiodo de silicio para fotometría de precisión de baja capacidad UV a IR 1S1337-1010BQ Fotodiodo de silicio para fotometría de precisión de baja capacidad UV a IR 2

etiqueta:

Sensor fotoeléctrico infrarrojo R9533,

Sensor del color del RGB,

Sensor de la llama de UVTRON

Contacto
ShenzhenYijiajie Electronic Co., Ltd.

Persona de Contacto: Xu

Teléfono: 86+13352990255

Envíe su pregunta directamente a nosotros (0 / 3000)

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