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Datos del producto:
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| Receiving surface: | 5.8 × 5.8 mm | Package category: | TO-8 |
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| Reverse voltage (Max.): | 5V | Dark current (Max.): | 20 pA |
| Resaltar: | Fotodiodo de silicio ultravioleta,Fotodiodo de silicio de alta fiabilidad,Fotometría de precisión Fotodiodo de silicio |
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Descripción del producto:
S1226-8BK Fotodiodo de silicio de alta fiabilidad Es adecuado para la fotometría de precisión desde ultravioleta hasta luz visible
Características:
Adecuado para la fotometría de precisión en longitudes de onda ultravioleta a visible; suprime la sensibilidad al infrarrojo cercano
Peculiaridad
- Alta sensibilidad a los rayos UV: QE = 75% (λ = 200 nm)
- Suprimir la sensibilidad al infrarrojo cercano
- Baja corriente oscura.
- Alta confiabilidad
Superficie receptor 5,8 × 5,8 mm
De metal encapsulado
Categoría de paquete TO-8
Tipo de refrigeración sin enfriamiento
Válvulas de reversión (máx.) 5 V
Rango de respuesta espectral de 320 a 1000 nm
longitud de onda de sensibilidad máxima (valor típico) 720 nm
Fotosensibilidad (valor típico) 0,36A/W
Corriente oscura (máximo) 20 pA
Tiempo de aumento (valor típico) 2 μs
Capacidad de unión (típica) 1200 pF
Potencia equivalente de ruido (valor típico) 5,0×10-15 W/Hz1/2
Condiciones de medición Ta = 25°C, valor típico, sensibilidad: λ = 720 nm, corriente oscura: VR = 10 mV, capacidad de unión: VR = 0 V, f = 10 kHz, salvo indicación en contrario
Especificaciones:
| Rango de respuesta espectral | de 320 a 1000 nm |
| longitud de onda de sensibilidad máxima | 720 nm |
| Fotosensibilidad (valor típico) | 0.36A /W |
| Corriente oscura (máximo) | 20 pA |
Persona de Contacto: Miss. Xu
Teléfono: 86+13352990255
