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Datos del producto:
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| Histéresis de la presión (0 a kPa 10): | ±0.1 — %VFSS | Histéresis de la temperatura: | ±0.5 — %VFSS |
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| Coeficiente de temperatura del palmo completo: | TCVFSS – 0,22 — – El 0.16% VFSS/°C | Coeficiente de temperatura de la compensación: | TCVOFF — ±15 — μV/°C |
| Coeficiente de temperatura de resistencia: | TCR 0,21 — El 0.27% ZIN/°C | Impedancia de entrada: | ZIN 400 — 550 Ω |
| Impedancia de salida: | ZOUT 750 — 1250 Ω | ||
| Resaltar: | Sensores de presión de silicio MPX10DP,Dispositivos médicos Sensores de presión de silicio |
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Descripción de producto:
El tipo sensores de MPX10DP 0-10 Kpa (0-1.45PSi) Ion Injection X de la presión del silicio se utiliza en aparatos médicos
Características:
Los sensores piezorresistivos de la presión del silicio de la serie MPX10 proporcionan un mismo
salida exacta y linear del voltaje, directamente proporcional al aplicado
presión. Este costo estándar, bajo, los sensores uncompensated permite
fabricantes para diseñar y para añadir su propia temperatura externa
redes del condicionamiento de la remuneración y de señal. Técnicas de la remuneración
se simplifican debido a la previsibilidad del solo elemento de Freescale
diseño del indicador de tensión.
• Bajo costo
• Diseño patentado del indicador de la tensión-deformación del esquileo del silicio
• Radiométrico al voltaje de fuente
• Opciones del diferencial y del indicador
• Elemento de epoxy durable de Unibody o (PPS) soporte superficial termoplástico
Paquete
Especificaciones:
| Gama de presión diferenciada (1) | POP 0 — kPa 10 |
| Voltaje de fuente (2) | CONTRA — 3,0 6,0 VDC |
| Fuente actual | IO — 6,0 — mAdc |
| Palmo completo (3) | VFSS 20 35 50 milivoltio |
| Compense (4) | VOFF 0 20 35 milivoltio |
| Sensibilidad | — 3,5 — mV/kPa |
| Linearidades | – 1,0 — El 1.0% VFSS |
Persona de Contacto: Xu
Teléfono: 86+13352990255
