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Datos del producto:
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| el área fotográfica es: | × 2,8 2,4 milímetros | Número de pixeles: | 1 |
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| Refrigeración y: | No- refrescada | Encapsulado: | De cerámica |
| Encapsule el tipo: | Con el filtro (CIE) | ||
| Resaltar: | Sensor fotoeléctrico de S7686 IR,Sensor fotoeléctrico 550 nanómetro del IR,Detector infrarrojo fotoeléctrico del haz |
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Descripción de producto:
El fotodiodo del silicio S7686 se utiliza para medir sensibilidad cerca de la eficacia espectral de la luminiscencia
Características:
S7686 es un fotodiodo del silicio cuyas características de respuesta espectral están más cercano a la sensibilidad (eficacia espectral de la luminiscencia) del ojo humano que los sensores ligeros visibles tradicionales de la remuneración (S1133, etc.).
La respuesta espectral es similar a la eficacia espectral de la luminiscencia del CIE
Paquete de cerámica, alta confiabilidad
Área fotográfica: 2,4 × 2.8m m
Respuesta de alta velocidad: Los 0,5 E.E.U.U. (VR=0 V, kω RL=1)
Valor del Fs: valor típico del 8% (incidencia ligera vertical)
Tiempo de subida (valor típico). 0,5 u s
Capacitancia de empalme (valor típico) 200 PF
℃ de la condición TYPE.TA =25 de la medida, a menos que se indicare en forma diferente, fotosensibilidad: λ=λp, corriente oscura: VR=1V, capacitancia terminal: VR=0 V, f=10 kilociclo
Especificaciones:
| Voltaje reverso (máximo) | 10V |
| la gama de la respuesta espectral es | 480 a 660 nanómetro |
| la longitud de onda máxima de la sensibilidad (valor típico) era | 550 nanómetro |
| Sensibilidad (valor típico) | 0,38 A/W |
| Actual oscuro (máximo) | PA 20 |
Persona de Contacto: Xu
Teléfono: 86+13352990255
